インジウムヒ素アンチモンリン化物

インジウムヒ素アンチモンリン化物（In As Sb P）は半導体材料です。

InAsSbPは、半導体レーザー構造の遮断層としてだけでなく、中赤外発光ダイオードやレーザー、^[1]光検出器^[2]および熱光起電力セル^[3]にも使用されています。

参照

^ Shur, Michael; Suris, RA (2020).化合物半導体 1996 : 1996 年 9 月 23 日から 27 日までロシアのサンクトペテルブルクで開催された第 23 回化合物半導体国際シンポジウムの議事録。ボカラトン。p. 552。ISBN 978-1-000-15712-3. OCLC 1222799133.{{cite book}}: CS1 メンテナンス: 場所が見つかりません発行者 (リンク)
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