フリーラジカルの除去反応

フリーラジカルの脱離反応は、フリーラジカルが脱離反応を起こしてオレフィンを形成するメカニズムである。^[1]このような反応は通常、ラジカル媒介反応の主要な経路ではない。

ラジカルはラジカル脱離機構によって不均化反応を起こすことができます(図 1 を参照)。ここではラジカルが別の同じラジカルから水素原子を抽出して、アルカンとアルケンという 2 つの非ラジカル種を形成します。

ラジカルは脱離反応を起こして、脱離基として新たなラジカルを生成することもできる。例えば、ポリスチレンが300℃以上の温度で加熱されて分解すると、ラジカル脱離機構によってスチレン モノマーが生成される（図2参照）。^{[2]ここで、新たなラジカルがポリマー鎖上に生成され、同様の反応がさらに起こって、より多くのスチレン分子が生成される。このプロセスは、ポリスチレンのラジカル媒介}脱重合として知られている。

ラジカル除去反応は酵素触媒経路で見られます。アシルCoAからエノイルCoAへの脱水素反応では、 FADはアシルCoA脱水素酵素の触媒下で2つのプロトンと2つの電子を受け取り、FADH2を形成します。^[3] このメカニズムには、アシルCoA βラジカルの形成が関与し、これが脱離してエノイルCoA生成物を形成します（図3を参照）。