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集積回路(IC)のデキャッピング(デカプセル化) またはデリッドとは、集積回路の保護カバーまたは統合ヒートスプレッダ(IHS) を取り外し、内部のダイを露出させて、ダイに印字されたマイクロ回路を目視で検査するプロセスです。このプロセスは通常、チップの製造上の問題をデバッグするため、またはデバイスから情報をコピーするため[ 1 ] 、偽造チップをチェックするため、またはリバースエンジニアリングするために行われます[ 2 ] [ 3 ] TechInsights [ 4 ]や ChipRebel [ 5 ]などの企業は、顧客のためにチップのデキャップ、ダイショットの撮影、およびリバースエンジニアリングを行っています。最新の集積回路は、プラスチック、セラミック、またはエポキシのパッケージに封入できます。
デリッドは、重イオンビームによるチップの耐放射線性をテストするため[ 6 ] [ 7 ] [ 8 ]、またはプロセッサなどの集積回路の動作温度を下げるために、ダイとIHS間の熱界面材料（TIM）をより高品質のTIMに交換する目的でも行われることがあります。注意深く行えば、デバイスのデキャップを行っても機能を維持できます。[ 9 ]
デキャッピングは通常、カバーの化学エッチング[ 2 ] [ 10 ]、レーザー切断、カバーのレーザー蒸着[ 11 ]、プラズマエッチング[ 10 ] 、フライス盤、鋸刃[ 12 ] 、熱風[ 13 ] 、またははんだ除去と切断[ 14 ]によるカバーの機械的除去によって行われます。このプロセスは、内部ダイを破壊する場合と破壊しない場合があります。
化学エッチングでは、通常、 ICパッケージ（プラスチック製の場合）を濃硝酸または発煙硝酸、加熱した濃硫酸、発煙硝酸、またはこれらの混合物に一定時間浸漬し、場合によってはホットプレートやホットエアガンで外部から加熱します[ 11 ] [ 3 ]。これにより、パッケージは溶解しますが、ダイはそのまま残ります[ 15 ] [ 2 ] [ 10 ]。酸は危険なので、適切な手袋、適切な酸カートリッジ付きの全面マスク、実験用白衣、ドラフトチャンバーなどの保護具が必要です[ 11 ] 。
レーザーデキャッピングは、高出力レーザービームをプラスチックICパッケージ全体に走査して蒸発させ、実際のシリコンダイは避ける。[ 11 ]
一般的な非破壊的な機械的デリッドでは、コンピュータプロセッサなどのICのIHSをオーブンで加熱してIHSとダイの間にあるはんだ（存在する場合）を軟化させ、ナイフでIHSの周囲の接着剤を切断して取り外します。この接着剤はIHSをプロセッサパッケージ基板（多くの場合、基板またはインターポーザと呼ばれる特殊なプリント基板）に接合しています。多くのプロセッサでは、ダイもIHSにはんだ付けされていますが、はんだが溶けるまで加熱し、はんだがまだ液体の状態でIHSを取り外すことで、IHSを取り外すことができます。ダイはフリップチップを使用して基板に実装されています。[ 14 ]
