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アドバンストランダムアクセスメモリ( RAM ) は、単一トランジスタのコンデンサレスセルに基づくダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の一種です。A-RAM は、2009 年にスペインのグラナダ大学(UGR) で、フランスの国立科学研究センター(CNRS)と共同で発明されました。考案者は、Noel Rodriguez (UGR)、Francisco Gamiz (UGR)、および Sorin Cristoloveanu (CNRS) です。A-RAM は、シングルゲートシリコン オン インシュレータ(SOI)、ダブルゲート、FinFET、およびマルチゲート電界効果トランジスタ(MuFET) と互換性があります。
従来の1トランジスタ+1コンデンサDRAMは、高密度ダイナミックメモリの製造に半導体業界で広く使用されています。2009年に研究者は、45nm未満の製造プロセスでは、DRAM業界はメモリセルコンデンサの小型化の問題を回避する必要があると考えました。A-RAMを含む1T-DRAMファミリーのメモリは、電荷を蓄積するためにSOIトランジスタのフローティングボディをストレージコンデンサに置き換えました。[1] [2]
大学は少なくとも1つのこの技術に関する特許を取得し、[3] 2010年にライセンス供与を試みた。[4]グラナダ大学は、この技術を宣伝するウェブサイトを運営し、2010年まで更新した。[5] A2RAMと呼ばれるバージョンは2012年にデモされた。[6]
参考文献
- ^ Noel Rodriguez、Sorin Cristoloveanu、Francisco Gamiz (2009 年 10 月 5 日)。「A-RAM: 新しいコンデンサレス DRAM メモリ」。2009国際 SOI 会議。IEEE。doi :10.1109/SOI.2009.5318734 。
- ^ Noel Rodriguez、Sorin Cristoloveanu、Francisco Gamiz ( 2010年 9 月)。「A-RAM メモリセル: 概念と動作」。Electron Device Letters。IEEE : 972– 974。doi :10.1109/LED.2010.2055531。
- ^ 特許番号: FR09/52453、「Point mémoire RAM à un Transistrielle」、Institut National de la Propriété Industrielle
- ^ Peter Clarke (2010年10月19日). 「フランスのCNRSがナノメモリIPを提供」. EE Times . 2016年9月30日閲覧。
- ^ 「A-RAM: 先進的な DRAM の代替品」。ウェブサイト。グラナダ大学。2010 年。2013 年 5 月 18 日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年9 月 30 日閲覧。
- ^ グラナダ大学 (2012年11月22日). 「科学者が革新的なデータストレージデバイスを設計」. Science Daily ニュースリリース. 2016年9月30日閲覧。