2N696

2N696と2N697は、 1958年にフェアチャイルド・セミコンダクター社によってシリコンバレーで製造された最初のシリコントランジスタでした。フェアチャイルド社は、これらのトランジスタの広告を通じて世界に自社を紹介しました^[¹^]。これらのトランジスタは、製造後の電流利得のビンニングを除いて同一でした^[²^]^[³^{] 。}

2N696/2N697 NPNメサトランジスタは、ゴードン・ムーア率いるチームによって開発されました。^{[ 4 ]}最初の100個は、B-70爆撃機のコンピュータを構築するために、IBMに1個あたり150ドル（2025年換算で1,674ドル）で販売されました。さらに多くのトランジスタが、ミニットマン弾道ミサイルの誘導システムを構築するためにオートネティクスに販売されました。

2N696と2N697は人気のあるデバイスで、テキサス・インスツルメンツ^{[ 5 ]} 、リーム・セミコンダクター^{[ 6 ]}、ホフマン・エレクトロニクス社やインダストロ・トランジスタ社[7]など、他^{の半導体企業}数社によってすぐに模倣されました。1960年の広告で、フェアチャイルドは「フェアチャイルド2N696と2N697は世界で最も模倣されたトランジスタです。当社も小型版を独自に模倣しました。2N717と2N718は、これらの人気タイプと全く同じですが、TO-18ケースにパッケージされています。標準の TO-5の1/3の体積を占めるため、高密度機器設計に最適です。」と自慢していました。^{[ 8 ]}

参考文献

↑ Christophe Lécuyer および David C. Brock (2010). Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor . MIT Press. pp. 127–129 . ISBN 9780262294324この広告はフェアチャイルド・セミコンダクター社を宣伝するものでもあり、同社の非常に具体的なイメージを提示していた。拡散技術における専門知識、研究開発力、製造能力を強調することで、新しく未知の企業という印象を与えたのである。
↑ Christophe Lécuyer および David C. Brock (2010). Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor . MIT Press. p. 280. ISBN 9780262294324両方のトランジスタは同じ製造工程で作られました。テスト中に互いに選別されました。
↑信頼性と品質管理に関する全国シンポジウム第 8 巻、1962 年。2N696-7シリーズは、JEDEC TO-5 パッケージに封入された高速、中電力、二重拡散メサトランジスタです。パラメータ制限は、 h _FEの範囲を除いて、2N696 と 2N697 で同じです。
↑ 「シリコンメサトランジスタが商用生産開始」 . computerhistory.com . 2018年9月21日取得。
↑ Electronic Design vol. 7 . Hayden Publishing Company. 1959. p. 329.現在量産されています...TI 2N696 および TI 2N697 多目的シリコン「メサ」ユニットは、アンプ、スイッチング、および中電力アプリケーションに使用されます。拡散ベースプロセスの先駆者によって製造されたこれらの非常に信頼性の高い「メサ」ユニットは、次の特徴を備えています。... 最大電力損失 2 W... ベータ範囲 20～60 (TI 2N696) および 40～120 (TI 2N697)... 最大飽和抵抗 10 オーム。
↑ Lojek, Bo (2007).半導体工学の歴史. Springer. p. 116. ISBN 9783540342588ボールドウィンの事業計画は、リーム社がより優れたメサ型シリコントランジスタを製造し、エピタキシャルデバイスを市場に投入する最初の企業になれるという前提に基づいていた。リーム社はより優れた2N697デバイスを製造したが、問題はフェアチャイルド社の法律顧問であるリッピンコット、ロールズ、ヘンドリクソン法律事務所がリーム社を提訴したことだった。裁判所の保安官がリーム社の施設を捜索し、フェアチャイルド社の専有資料を発見した。エドと彼のグループはフェアチャイルド社からその資料を持ち去った。
↑固体物理学技術第3巻。Cowan Publishing Corporation。1960年。
↑ 1960年にフェアチャイルドの広告「新しい数値 - 同じ人気のトランジスタ」が、以下の電子業界雑誌に掲載されました。Electronics vol . 33 (McGraw-Hill Publishing Company)、 Semiconductor Products vol. 3 (Cowan Publishing Corporation)、 Electronic Design vol. 8 (Hayden Publishing Company)。

外部リンク

トランジスタ博物館– オリジナルのフェアチャイルド2N697の写真

[1] Christophe Lécuyer および David C. Brock (2010). Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor . MIT Press. pp. 127–129 . ISBN 9780262294324この広告はフェアチャイルド・セミコンダクター社を宣伝するものでもあり、同社の非常に具体的なイメージを提示していた。拡散技術における専門知識、研究開発力、製造能力を強調することで、新しく未知の企業という印象を与えたのである。

[2] Christophe Lécuyer および David C. Brock (2010). Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor . MIT Press. p. 280. ISBN 9780262294324両方のトランジスタは同じ製造工程で作られました。テスト中に互いに選別されました。

[3] 信頼性と品質管理に関する全国シンポジウム第 8 巻、1962 年。2N696-7シリーズは、JEDEC TO-5 パッケージに封入された高速、中電力、二重拡散メサトランジスタです。パラメータ制限は、 h _FEの範囲を除いて、2N696 と 2N697 で同じです。

[4] 「シリコンメサトランジスタが商用生産開始」 . computerhistory.com . 2018年9月21日取得。

[5] Electronic Design vol. 7 . Hayden Publishing Company. 1959. p. 329.現在量産されています...TI 2N696 および TI 2N697 多目的シリコン「メサ」ユニットは、アンプ、スイッチング、および中電力アプリケーションに使用されます。拡散ベースプロセスの先駆者によって製造されたこれらの非常に信頼性の高い「メサ」ユニットは、次の特徴を備えています。... 最大電力損失 2 W... ベータ範囲 20～60 (TI 2N696) および 40～120 (TI 2N697)... 最大飽和抵抗 10 オーム。

[6] Lojek, Bo (2007).半導体工学の歴史. Springer. p. 116. ISBN 9783540342588ボールドウィンの事業計画は、リーム社がより優れたメサ型シリコントランジスタを製造し、エピタキシャルデバイスを市場に投入する最初の企業になれるという前提に基づいていた。リーム社はより優れた2N697デバイスを製造したが、問題はフェアチャイルド社の法律顧問であるリッピンコット、ロールズ、ヘンドリクソン法律事務所がリーム社を提訴したことだった。裁判所の保安官がリーム社の施設を捜索し、フェアチャイルド社の専有資料を発見した。エドと彼のグループはフェアチャイルド社からその資料を持ち去った。

[7] 固体物理学技術第3巻。Cowan Publishing Corporation。1960年。

[8] 1960年にフェアチャイルドの広告「新しい数値 - 同じ人気のトランジスタ」が、以下の電子業界雑誌に掲載されました。Electronics vol . 33 (McGraw-Hill Publishing Company)、 Semiconductor Products vol. 3 (Cowan Publishing Corporation)、 Electronic Design vol. 8 (Hayden Publishing Company)。

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