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劉 孜宰 | |
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| カリフォルニア大学バークレー校工学部学部長 | |
| 2018年6月就任 | |
| 個人情報 | |
| 生まれる | 1963年6月4日アメリカ合衆国 ニューヨーク州イサカ |
| 母校 | スタンフォード大学(学士、修士、博士) |
ツジェ・キング・リューは、カリフォルニア大学バークレー校工学部の学部長およびロイ・W・カールソン工学教授を務めるアメリカの学者、エンジニアです。
Liu 氏は、学術界と半導体業界の両方で幅広い専門知識と実績を持つ電気技術者です。バークレーでは、Liu 氏は新しい半導体デバイス、不揮発性メモリデバイス、超低電力回路用の M/NEMS 技術の開発を研究する研究チームを率いています。彼女のチームは、バークレー新興技術研究センターとNSF科学におけるエネルギー効率の良いエレクトロニクスセンターの一部です。彼女はまた、バークレーの Kavli エネルギーナノサイエンス研究所[1]の教員であり、バークレーの応用科学技術大学院プログラムとナノスケール科学および工学大学院グループの提携教員でもあります。
幼少期と教育
劉はニューヨーク州イサカで、コーネル大学の大学院生だった台湾人の両親のもとに生まれた。父親の研究分野は地震予知であり、劉は幼少期の大半をサンフランシスコ湾岸地域で過ごした。[2]高校生の頃、劉はPARCキャンパスを見学し、そこでゼロックスAltoのデモを見てコンピューターへの興味が刺激された。[3] [4]
劉氏は1984年にスタンフォード大学で理学士号、1986年に理学修士号、1994年に電気工学の博士号を取得しました。[5]
キャリア
スタンフォード大学卒業後、リュー氏はゼロックスパロアルト研究所 (PARC)の研究員に加わりました。1992 年から 1996 年にかけての PARC 在籍中、リュー氏は多結晶薄膜トランジスタに関する研究で際立っていました。1996 年 8 月、リュー氏はバークレー大学の電気工学およびコンピュータサイエンス学部の教員に就任しました。リュー氏は半導体デバイスおよび技術分野の多くの開発に貢献し、500 本を超える論文を共同執筆しています。
劉の主な貢献は多くの研究分野に及んでいますが、彼女はおそらく集積回路やマイクロシステムに応用される多結晶シリコンゲルマニウム薄膜技術の開発で最もよく知られています。劉はまた、今日のすべての主要なマイクロプロセッサチップで使用されている設計である3次元FinFET トランジスタ（フィン電界効果トランジスタ）の共同発明者でもあります。劉は2017年に「フィン電界効果トランジスタ（FinFET）とそのナノメートル相補型金属酸化物半導体（CMOS）技術への応用への貢献」により米国工学アカデミーに選出されました。[6]
彼女は半導体デバイスと製造方法の分野で94件以上の特許を保有しており、2017年時点で80件の特許が申請中である。そのうち37件は彼女が設立したプログレッサント・テクノロジーズ社に譲渡されており、同社は2004年にシノプシス社に買収された。 [7]
バークレー工学部の学部長として、リュー氏は多様性を高め、工学分野で女性や少数派のメンバーの包摂と尊重を促進する取り組みについて率直に発言してきた。[8]学部長に就任する前、リュー氏はバークレーで幅広い指導的役割を果たしていた。マーベルナノファブリケーション研究所の学部長だった。[9] 2008年から2012年まで、工学部の研究担当副学部長を務めた。2012年から2014年まで電気工学部門の学部長を務め、2014年から2016年まで電気工学およびコンピューターサイエンス学部の学部長を務めた。[10]
彼女は以前、シノプシスの先端技術グループでエンジニアリングのシニアディレクターを務めていました。[11]
劉氏は2016年からインテルの取締役を務めている。[12]
2024年に彼女はIEEE Founders Medalを受賞した。[13]
2024年9月、彼女は次期全米工学アカデミー会長に指名された 。[14]
研究と厳選した出版物
劉の出版物の全リストはオンラインで閲覧可能です。[15]以下は彼女の最も引用されている作品のリストです。
- Hisamoto, D.; Wen-Chin Lee; Kedzierski, J.; Takeuchi, H.; Asano, K.; Kuo, C.; Anderson, E.; Tsu-Jae King; Bokor, J. (2000). 「FinFET - 20 nm まで拡張可能な自己整合型ダブルゲート MOSFET」. IEEE Transactions on Electron Devices . 47 (12): 2320–2325. Bibcode :2000ITED...47.2320H. doi :10.1109/16.887014. ISSN 0018-9383.
- Choi, WY; Park, B.; Lee, JD; Liu, TK (2007). 「サブスレッショルド スイング (SS) が 60 mV/dec 未満のトンネル電界効果トランジスタ (TFET)」. IEEE Electron Device Letters . 28 (8): 743–745. Bibcode :2007IEDL...28..743C. doi :10.1109/LED.2007.901273. ISSN 0741-3106. S2CID 8811022.
- Huang, Chong-Cheng; Tsai, Wen-Ta; Lee, Ju-Tung (1996 年 2 月)。「レーザー処理した窒素含有ステンレス鋼層による炭素鋼の表面改質」。表面およびコーティング技術。79 (1–3): 67–70。doi :10.1016/0257-8972(95)02438-7。
- Bin Yu、Leland Chang、Ahmed, S.、Haihong Wang、Bell, S.、Chih-Yuh Yang、Tabery, C.、Chau Ho、Qi Xiang (2002)。「FinFET の 10 nm ゲート長へのスケーリング」。ダイジェスト。国際電子デバイス会議。pp. 251–254。CiteSeerX 10.1.1.136.3757。doi :10.1109 / IEDM.2002.1175825。ISBN 0-7803-7462-2. S2CID 7106946。
- Xuejue Huang、Wen-Chin Lee、Kuo, C.、Hisamoto, D.、Leland Chang、Kedzierski, J.、Anderson, E.、Takeuchi, H.、Yang-Kyu Choi (2001)。「サブ 50 nm P チャネル FinFET」。IEEE Transactions on Electron Devices。48 (5): 880–886。Bibcode : 2001ITED ...48..880H。doi : 10.1109/16.918235。ISSN 0018-9383 。
- Yeo, Yee-Chia; King, Tsu-Jae; Hu, Chenming (2002-11-27). 「金属-誘電体バンドアラインメントと金属ゲート相補型金属-酸化物-半導体技術への影響」. Journal of Applied Physics . 92 (12): 7266–7271. Bibcode :2002JAP....92.7266Y. doi :10.1063/1.1521517. ISSN 0021-8979.
- Yang-Kyu Choi、Lindert、N.、Peiqi Xuan、Tang、S.、Daewon Ha、Anderson、E.、Tsu-Jae King、Bokor、J.、Chenming Hu (2001)。「サブ 20 nm CMOS FinFET テクノロジ」。国際電子デバイス会議。テクニカル ダイジェスト (カタログ番号 01CH37224)。pp. 19.1.1–19.1.4。doi : 10.1109/IEDM.2001.979526。ISBN 0-7803-7050-3. S2CID 8908553。
- Yu Cao、Groves、RA、Zamdmer、ND、Plouchart、J.-、Wachnik、RA、Xuejue Huang、King、T.-、Chenming Hu (2002)。「オンチップスパイラルインダクタの周波数に依存しない等価回路モデル」。IEEE 2002 Custom Integrated Circuits Conference の議事録 (Cat. No.02CH37285) 。pp . 217–220。doi :10.1109/ CICC.2002.1012800。ISBN 0-7803-7250-6. S2CID 6065522。
受賞歴
劉氏は研究への貢献により数々の賞賛を受けています。
- 全米発明家アカデミー会員（2018年）[16]
- 米国工学アカデミー会員（2017年）[17]
- 電気電子学会フェロー
- FinFET に関する研究でDARPA重要技術功績賞 (2000)
- ナノスケール MOS トランジスタへの貢献によりIEEE冨安聖賞 (2010 年)
- 半導体産業協会優秀研究賞（2014年）
- シリコンバレー殿堂入り[18]
- インテルナノテクノロジー優秀研究者賞（2012年）[19]
- SIA大学研究者賞（2012年）[20]
- アジア協会のゲームチェンジャーウェスト賞（2021年）[21]
彼女は教員としての教育と指導への貢献も認められています。
- 電気工学優秀教育賞
- カリフォルニア大学バークレー校優秀教員メンタリング賞
- アリストテレス賞、セミコンダクター・リサーチ・コーポレーション
参考文献
- ^ “Tsu-Jae King Liu | Kavli ENSI”. kavli.berkeley.edu 。2019年5月8日に取得。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu 氏がバークレー工学部の新学部長に任命」バークレー工学部2018-06-19 2019-05-08閲覧。
- ^ 「女性発明家を称えて」（PDF）。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu」。CITRISとBanatao Institute 。2019年5月8日閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu | EECS at UC Berkeley」カリフォルニア大学バークレー校電気工学・コンピューター科学科。 2022年10月6日閲覧。
- ^ 「Professor Tsu-Jae Liu」NAEウェブサイト。 2019年5月8日閲覧。
- ^ サンダース、ロバート (2017-12-12). 「3人のイノベーターが全米発明家アカデミーに選出」バークレーニュース2019年5月8日閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu 氏がバークレー工学部の新学部長に任命」バークレー工学部2018-06-19 2019-05-08閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu」。CITRISとBanatao Institute 。2019年5月8日閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu」。CITRISとBanatao Institute 。2019年5月8日閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu」。CITRISとBanatao Institute 。2019年5月8日閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu」. Intel Newsroom . 2021年4月11日閲覧。
- ^ 「IEEE Founders Medal」. IEEE Awards . 2024年3月25日閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu氏が次期全米工学アカデミー会長に指名」NAEウェブサイト。 2024年9月29日閲覧。
- ^ 「Tsu-Jae King Liu - Google Scholar Citations」。scholar.google.com 。 2019年5月8日閲覧。
- ^ サンダース、ロバート (2017-12-12). 「3人のイノベーターが全米発明家アカデミーに選出」バークレーニュース2019年5月8日閲覧。
- ^ 「Professor Tsu-Jae Liu」NAEウェブサイト。 2019年5月8日閲覧。
- ^ “Tsu-Jae King Liu | Kavli ENSI”. kavli.berkeley.edu 。2019年5月8日に取得。
- ^ 「インテル取締役会」。
- ^ 「インテル取締役会」。
- ^ 「アジア・ゲーム・チェンジャー・ウェスト・アワード・ガラ(4.8.) 開催報告|通知在サンフランシスコ大韓民国総領事館」。overseas.mofa.go.kr 。2021年4月11日閲覧。