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静電誘導トランジスタ（SIT ）は、低歪み、低ノイズで高速、高出力動作が可能な電界効果トランジスタ（FET）の一種である。 [1]これは、短いマルチチャネルを備えた垂直構造デバイスである。このデバイスはもともとVFETと呼ばれていた（Vは垂直の略）。[2]垂直デバイスであるため、SIT構造は従来のFETよりも高いブレークダウン電圧を得られるという利点がある。SITの場合、ブレークダウン電圧はゲートとドレイン間の表面ブレークダウンによって制限されないため、非常に高い電流と電圧で動作することができる。SITは真空管三極管に似た電流電圧特性を持っているため、 1970年代後半のソニーや1973年から1980年のヤマハのパワーアンプなど、ハイエンドオーディオ製品に使用されていた。ソニーのnチャネルSITのモデル番号は2SK82で、pチャネルの補完品は2SJ28と呼ばれていた。[2]
特徴
SIT には次のものがあります:
- 短いチャネル長
- 低いゲート直列抵抗
- ゲート・ソース間容量が低い
- 熱抵抗が小さい
- 低騒音
- 低歪み
- 高オーディオ周波数出力能力
- 短いターンオンおよびターンオフ時間（通常0.25μs）
歴史
SITは1950年に日本の技術者西澤潤一と渡辺善治によって発明されました。 [3]
参照
参考文献
- ^ 西沢潤一（1974年12月15日）。「電界効果トランジスタとアナログトランジスタ（静電誘導トランジスタ）の比較」IEEE Transactions on Electron Devices 22 （ 4）：185–197。doi ：10.1109/T-ED.1975.18103。S2CID 37015648 。
- ^ ab Pass, Nelson (2013). 「ソニーVFETアンプ40周年記念」(PDF) . First Watt . 2022年8月17日閲覧。
- ^ F. Patrick McCluskey、Thomas Podlesak、Richard Grzybowski編 (1996)。高温エレクトロニクス。CRC Press。p . 82。ISBN 0-8493-9623-9。