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静電誘導サイリスタ（SIT 、 SITh ）は、ゲート電極がnベース領域に配置されている埋め込みゲート構造のサイリスタです。通常はオン状態であるため、オフ状態を維持するにはゲート電極を負または陽極にバイアスする必要があります。 [1]低ノイズ、低歪み、高オーディオ周波数電力能力を備えています。ターンオン時間とターンオフ時間は非常に短く、通常は0.25マイクロ秒です。[2] [3] [4]
歴史
最初の静電誘導サイリスタは、1975年に日本の技術者西澤潤一によって発明されました。 [5]低い順方向バイアスで大電流を流すことができ、ターンオフ時間が短いという特徴がありました。自己制御ゲートターンオフサイリスタは、1988年に東京電気株式会社（現東洋エンジニアリング株式会社）から市販されました。最初のデバイスは、p + nn +ダイオードと埋め込みp +グリッドで構成されていました。[要出典]
1999年に、SIThの解析モデルがPSPICE回路シミュレータ用に開発されました。[6] 2010年に、Zhang Caizhen、Wang Yongshun、Liu Chunjuan、Wang ZaixingによってSIThの新しいバージョンが開発されました。その新しい特徴は、高い順方向阻止電圧でした。[7]
参照
参考文献
- ^ Li, Siyuan; Liu Su; Yang, Jianhong; Sang, Baosheng; Liu, Ruixi (1994). 40 A / 1000 V 静電誘導サイリスタ (SITH) の研究。第 1 巻。北京、中国: International Academic Publishers。pp. 205–208。ISBN 978-7-80003-315-5。
- ^ 西沢J.中村和也 (1978)。 「静電誘導サイリスタ」。レビュー ド フィジーク アップリケ。13 (12): 725–728。土井:10.1051/rphysap:019780013012072500。
- ^ ChunJuan Liu; Su Liu; YaJie Bai (2014). 「埋め込みゲート構造の静電誘導サイリスタのスイッチング性能」. Science China Information Sciences . 57 (6): 1–6. doi : 10.1007/s11432-013-4955-x .
- ^ Bongseong Kim、Kwang-Cheol Ko、Eiki Hotta (2011)。「パルス電力用途向け静電誘導サイリスタのスイッチング特性の研究」。IEEE Transactions on Plasma Science。39 ( 5 ): 901–905。Bibcode : 2011ITPS ...39..901K。doi : 10.1109 /TPS.2010.2099242。eISSN 1939-9375。ISSN 0093-3813。OCLC 630064521。S2CID 32745943 。
- ^ a Drummer, GW (1997年1月)。電子発明と発見：エレクトロニクスの始まりから現在まで、第4版。CRC Press。ISBN 9780750304931。
- ^ J. Wang; BW Williams (1999). 「新しい静電誘導サイリスタ (SITh) 解析モデル」. IEEE Transactions on Power Electronics . 14 (5): 866–876. Bibcode :1999ITPE...14..866W. doi :10.1109/63.788483. eISSN 1941-0107. OCLC 1004551313.
- ^ Zhang Caizhen、Wang Yongshun、Liu Chunjuan、Wang Zaixing (2010)。 「高い順方向阻止電圧と優れたスイッチング性能を備えた新しい静電誘導サイリスタ」。Journal of Semiconductors。31 ( 3 ): 034005。doi : 10.1088/1674-4926/31/3/034005。ISSN 1674-4926。OCLC 827111246。S2CID 250665918 。
外部リンク
- 静電誘導サイリスタ