スマートカット

スマートカットは、結晶シリコン材料の非常に薄い層を機械的支持体上に転写することを可能にする技術的プロセスです。これはCEA-LetiのMichel Bruelによって発明され、米国特許5374564によって保護されています。 ^[1]この技術的手順は主にシリコンオンインシュレータ（SOI）ウェーハ基板の製造に応用されています。

SOI の役割は、単結晶シリコンの薄い層をシリコンウェーハの残りの部分から電子的に絶縁することです。極薄シリコンフィルムを機械的なサポートに転写することで、中間の絶縁層を導入します。半導体メーカーは、通常のシリコンウェーハで使用するのと同じプロセスを使用して、SOI ウェーハの最上層に集積回路を製造できます。

一連のイラストは、スマートカットテクノロジーを使用して SOI ウェーハを製造するプロセスを図解で説明しています。

参考文献

^ US 5374564、Bruel、Michel、「半導体材料薄膜の製造方法」、1994 年 12 月 20 日発行

参照

[bruel-1] US 5374564、Bruel、Michel、「半導体材料薄膜の製造方法」、1994 年 12 月 20 日発行