短チャネル効果JJapedia 編集部|更新日: 2026年7月29日電子工学では、チャネル長がソース接合とドレイン接合の空乏層幅に匹敵するMOSFETにおいて短チャネル効果が発生する。これらの効果には、特にドレイン誘起障壁低下、速度飽和、量子閉じ込め、ホットキャリア劣化が含まれる。[ 1 ] [ 2 ]関連項目チャネル長変調逆短チャネル効果参考文献↑ F. D'Agostino、D. Quercia。「MOSFETにおける短チャネル効果」（PDF）。↑半導体デバイスの原理。7.7. 高度なMOSFETの問題カテゴリー：MOSFETトランジスタモデリング電子部品非表示のカテゴリ:短い説明付きの記事短い説明はWikidataとは異なりますすべてのスタブ記事関連するトピック関連電子工学関連チャネル長がソース接合とドレイン接合の関連空乏層関連MOSFET
