登録されたメモリ

レジスタード メモリ(バッファ メモリとも呼ばれる) は、DRAMモジュールとシステムのメモリ コントローラの間にレジスタがあるコンピュータ メモリです。レジスタード メモリ モジュールは、レジスタード メモリ モジュールがないものに比べて、メモリ コントローラにかかる電気負荷が少なくなります。レジスタード メモリを使用すると、通常よりも 多くのメモリ モジュールを使用してもコンピュータ システムを安定させることができます。

従来型メモリをレジスタード メモリと比較すると、従来型メモリは通常、アンバッファード メモリまたは非レジスタード メモリと呼ばれます。レジスタード メモリがデュアル インライン メモリ モジュール(DIMM)として製造される場合、RDIMMと呼ばれます。同様に、非レジスタード DIMM はUDIMMまたは単に「DIMM」と呼ばれます。

レジスタード メモリは、必要な追加回路と販売数が少ないために高価になることが多いため、通常はスケーラビリティと堅牢性の必要性が低価格の必要性を上回るアプリケーションでのみ使用されます。たとえば、レジ​​スタード メモリは通常、サーバーで使用されます。

ほとんどのレジスタードメモリモジュールにはエラー訂正コードメモリ(ECC) も搭載されていますが、レジスタードメモリモジュールがエラー訂正機能を持たない場合や、その逆の場合もあります。レジスタードされていない ECC メモリは、非常に大容量のメモリをサポートしていないワークステーションやエントリーレベルのサーバーマザーボードでサポートされ、使用されています。^[1]

通常、レジスタード メモリを使用するとパフォーマンスが低下します。各読み取りまたは書き込みはメモリ バスと DRAM の間で 1 サイクルバッファリングされるため、レジスタード RAM は同等のレジスタードされていない DRAM より1クロック サイクル遅れて実行されると考えられます。SDRAMの場合、これはバーストの最初のサイクルにのみ適用されます。

ただし、このパフォーマンスの低下は普遍的なものではありません。メモリ アクセス速度には、他にも多くの要因が関係しています。たとえば、Intel Westmere 5600 シリーズのプロセッサは、インターリーブを使用してメモリにアクセスします。インターリーブでは、メモリ アクセスが 3 つのチャネルに分散されます。チャネルごとに 2 つのメモリ DIMM を使用する場合、UDIMM を使用したこの構成では、RDIMM と比較して最大メモリ帯域幅が約 5% 減少します。 ^{[2] [3]}

通常、マザーボードはメモリタイプと一致する必要があります。そのため、レジスタードメモリは、それ用に設計されていないマザーボードでは動作しません。逆もまた同様です。一部のPCマザーボードはレジスタードメモリを受け入れるか要求しますが、レジスタードメモリモジュールと非レジスタードメモリモジュールを混在させることはできません。^[4]レジスタードメモリとECCメモリの間には多くの混乱があります。ECCメモリ（レジスタードの場合もそうでない場合もあります）は、ECCをサポートしていないマザーボードでは、ECC機能を提供しなくてもまったく動作しないと広く考えられていますが、実際には、レジスタードメモリ（ECCをサポートしていることが多く、ECC RAMと呼ばれます）を、それをサポートしていないPCマザーボードで使用しようとすると、互換性の問題が発生します。

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クロックドアンバッファDIMM（CUDIMM）モジュールにはクロックバス上にバッファが含まれています。^[5]

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レジスタード（バッファ付き）DIMM（R-DIMMまたはRDIMM）モジュールは、DIMMとメモリチップ上のコマンドバスとアドレスバス（およびクロックバス？）のピンの間にバッファを挿入します。大容量のDIMMには多数のメモリチップがあり、それぞれがメモリアドレスを受信する必要があり、それらの入力容量の合計によってメモリバスの動作速度が制限されます。R-DIMM内でコマンド信号とアドレス信号を再分配することで、より多くのチップをメモリバスに接続できます。^[7] コストは、アドレスが追加のバッファを通過するために1クロックサイクル^{[要出典]の追加クロックサイクルが必要になるため、}メモリレイテンシが増加することです。初期のレジスタードRAMモジュールは、レジスタードされていないRAMモジュールと物理的に互換性がありませんでした。しかし、SDRAM R-DIMMの2つのバリアントは機械的に交換可能であり、一部のマザーボードは両方のタイプをサポートしている場合があります。^[8]

負荷軽減DIMM（LR-DIMMまたはLRDIMM）モジュールはR-DIMMに似ていますが、データラインにもバッファが追加されています。言い換えると、LR-DIMMはすべての信号の並列性を維持しながら、制御ラインとデータラインの両方をバッファします。その結果、LR-DIMMは全体的な最大メモリ容量を大きくしながら、シリアル信号形式とパラレル信号形式間の変換によって生じるFB-DIMMのパフォーマンスと消費電力の問題を回避します。^{[7] [9]}

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FB-DIMM ( Fully Buffered DIMM )モジュールは、より複雑なバッファ チップを使用して標準 SDRAM チップの広いバスと狭い高速シリアル メモリ バス間の変換を行うことで、大規模システムの最大メモリ容量をさらに増加させます。言い換えると、FB-DIMM へのすべての制御、アドレス、およびデータ転送はシリアル方式で実行され、各 FB-DIMM に存在する追加のロジックがシリアル入力をメモリ チップの駆動に必要なパラレル信号に変換します。 ^[9] メモリ バスあたりに必要なピンの数を減らすことで、CPU はより多くのメモリ バスをサポートできるようになり、メモリ帯域幅と容量の合計が向上しました。残念ながら、変換によってメモリ レイテンシがさらに増加し​​、複雑な高速バッファ チップがかなりの電力を消費し、大量の熱を発生しました。

FB-DIMM と LR-DIMM はどちらも、メモリ モジュールがメモリ バスに与える負荷を最小限に抑えることを主な目的として設計されています。これらは R-DIMM とは互換性がなく、これらを必要とするマザーボードは通常、他の種類のメモリ モジュールを受け入れません。

• 記憶の決定 2019-05-19 にWayback Machineにアーカイブ、2004 年 2 月 8 日
• ECC と登録メモリは必要ですか (.doc ドキュメント)
• LRDIMMの基礎
• LRDIMM と RDIMM: 信号の整合性、容量、帯域幅