キルステン・モーゼルンド

キルステン・E・モーセルンドはデンマークのエンジニアで、ローザンヌ連邦工科大学の電子工学およびマイクロテクノロジーの教授です。また、ポール・シェラー研究所のナノ・量子技術研究所の所長も務めています。以前は、IBMリサーチの材料統合およびナノスケールデバイスグループの責任者を務めていました。

モーゼルンドはデンマークで育ち、ヘンリエッテ・ホエルリュック・スコレに通った。デンマーク工科大学で修士号を取得した。^{[1] 2003年に}ローザンヌ連邦工科大学に移り、シリコンナノワイヤから電子デバイスを開発するマイクロエレクトロニクスの博士研究を完了した。^[2]

モーゼルンドはIBMリサーチに加わり、「材料統合とナノスケールデバイス」に特化したグループを率いた。彼女は特に、ニューロモルフィックエンジニアリング、ナノフォトニクス、量子コンピューティングに興味を持っていた。彼女はフォトニクス用のアクティブナノワイヤデバイスの開発に携わった。モーゼルンドは、アクティブナノワイヤマトリックスとパッシブナノワイヤマトリックスの両方を利用して、ニューロンとインターフェースできるプラットフォームを開発した。^[3]これらのナノワイヤベースのデバイスは、細胞アセンブリの研究や個々の細胞の能動的な監視に使用できる。^{[3]モーゼルンドは、}欧州委員会のプロジェクト「てんかん治療のためのイオン性神経調節（IN-FET）」に参加した。 ^{[4]彼女はまた、}垂直外部共振器面発光レーザー（VECSEL）にも取り組んできた。 ^[要出典]

2016年、モーゼルンドは、統合通信用シリコン上のプラズモン増強III-Vナノワイヤレーザー（PLASMIC）の開発のために、欧州研究会議から初期助成金を獲得した。 ^{[3] [4]彼女は、}超大規模集積回路（VLSI）処理と互換性のあるプラズモニック材料に焦点を当てた。これを実現するために、彼女は、ナノワイヤをSi-SiO _{2基板上に統合するテンプレート支援選択}エピタキシーを利用した。^[3]この技術の中心となるのは、小さなシリコン表面からの成長を導く酸化物キャビティの使用である。^[3]

モーゼルンドはローザンヌ連邦工科大学に戻り^[5]、電気・マイクロ工学の教授に就任した。2022年2月にはLNQ（ナノ・量子技術研究所）の所長に就任した^{[6] 。}

モーゼルンドには二人の息子がいる。^[4]

• マティアス・ボルグ。ハインツ・シュミット;キルステン・モーゼルンド。他。 (2014 年 3 月 19 日)。 「Si(100) 上での垂直 III-V ナノワイヤ デバイスの統合」。ナノ文字。14 (4): 1914 ～ 1920 年。土井：10.1021/NL404743J。ISSN  1530-6984。PMID  24628529。ウィキデータ Q87441020。
• Schmid, H.; Borg, M.; Moselund, K.; Gignac, L.; Breslin, CM; Bruley, J.; Cutaia, D.; Riel, H. (2015 年 6 月 8 日)。「Si との共平面異種統合のための III-V ナノスケール デバイスのテンプレート支援選択エピタキシー」。応用物理学レター。106 (23): 233101。Bibcode : 2015ApPhL.106w3101S。doi :10.1063/1.4921962。ISSN 0003-6951  。
• ケニア州モーゼルンド。シュミット、H.ベシア、C.モンタナ州ビョーク。ゴネイム、H.リエル、H. (2012 年 10 月)。 「InAs-Siナノワイヤヘテロ接合トンネルFET」。IEEE 電子デバイスレター。33 (10): 1453–1455。Bibcode :2012IEDL...33.1453M。土井：10.1109/LED.2012.2206789。ISSN  1558-0563。S2CID  36878464。