ジャンクションレスナノワイヤトランジスタ

JLTはゲート接合のないナノワイヤベースのトランジスタです。^{[ 1 ]}（MOSFETでさえゲート接合を持っていますが、ゲートは制御領域から電気的に絶縁されています。）接合は製造が難しく、電流漏れの大きな原因となるため、電力と熱を大幅に浪費します。接合をなくすことで、より安価で高密度なマイクロチップが実現できると期待されていました。JNTは、電気的に絶縁された「結婚指輪」で囲まれた単純なシリコンナノワイヤを使用しており、この指輪がワイヤを通る電子の流れを制御する役割を果たします。この方法は、庭のホースを絞ってホースを通る水の流れを制御することに例えられています。ナノワイヤはn型に高濃度にドープされているため、優れた導体です。重要なのは、シリコンで構成されるゲートがp型に高濃度にドープされていることです。ゲートの存在により、下にあるシリコンナノワイヤが空乏化され、ゲートを通過するキャリアの流れが防止されます。

システム解析・アーキテクチャ研究所（LAAS）では、接合部のない垂直ナノワイヤFET（JLVNFET）の製造プロセスが開発されました。^{[ 2 ]}