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ジョンソンの性能指数は、高周波パワートランジスタの用途と要件に対する半導体材料の適合性を測定するものです。より具体的には、材料内の電荷キャリア 飽和速度と、同じ条件下での電界破壊の積であり、 1965年にRCAのエドワード・O・ジョンソンによって初めて提案されました。 [1]
この性能指数(FoM) は電界効果トランジスタ( FET ) の両方に適用可能であり、パラメータを適切に解釈すればバイポーラ接合トランジスタ( BJT ) にも適用できることに注意してください。
サンプル資料
[2]
JFM の数字は情報源によって大きく異なります。外部リンクとトークページを参照してください。
外部リンク
- 電気機械材料としての窒化ガリウム。RZ。IEEE 2014 表IV(p 5)には、JFM(Siを基準)がリストされています:Si=1、GaAs=2.7、SiC=20、InP=0.33、GaN=27.5。また、V satとEbreakdownも示されています。
- なぜダイヤモンド? 非常に異なる数値を示します(ただし参照なし):
Si GaAs GaN SiC ダイヤモンド JFM1117904105800
参考文献
- ^ 「トランジスタの周波数と電力パラメータの物理的限界」RCA Review、第26巻、163-177ページ、1965年6月。
- ^ abcdef 電気機械材料としての窒化ガリウム。 RZ。 IEEE 2014 表 IV (p 5)
