ジェームズ・J・コールマン

ジェームズ・J・コールマン^[1]（1950年5月15日、イリノイ州シカゴ生まれ）は、ベル研究所、ロックウェル・インターナショナル、イリノイ大学アーバナ校で働いた電気技術者である。彼は、歪層インジウムガリウムヒ素レーザーや選択領域エピタキシーなどの半導体レーザー、材料、デバイスに関する研究で最もよく知られている。^{[要出典]コールマンは}IEEEのフェローであり、米国工学アカデミーの会員である。^[2]

ジェームズ・J・コールマン^[3]はイリノイ州シカゴのガーフィールドリッジ地区に生まれ、セント・ダニエル・ザ・プロフェット小学校とセント・ローレンス高校に通った。彼はハリー・A・コールマンとロリタ・M・ケリーの長男であった。彼はイリノイ大学アーバナ校で電気工学を学び、1972年にBSEEを取得して卒業した。彼はイリノイ大学に留まり、1973年にOL・ギャディの指導の下でMSEEを取得した。イリノイ大学での研究を続け、ニック・ホロニアックの指導の下で博士研究を行い、室温可視半導体ダイオードレーザーに関する論文を執筆した。彼は1975年にイリノイ大学から博士号を取得した。

コールマンは1976年にマレーヒルのベル研究所に入社し、最初の配属先はモートン・B・パニッシュの指揮下にある材料科学研究部門でした。そこでの仕事は、液相エピタキシー（LPE）で成長させた1.3μm InGaAsP CW室温ダイオード通信レーザーの開発に貢献することでした。1978年に、彼はアナハイムのロックウェル・インターナショナルに行き、P・ダニエル・ダプカスと共に金属有機化学気相成長（MOCVD）に取り組みました。これは、化合物半導体デバイスの製造における主要なプロセスとなっています。彼らはこのプロセスを利用して、MOCVD成長ヘテロフェイスAlGaAs太陽電池、低しきい値シングルモードAlGaAs-GaAs二重ヘテロ構造レーザー、および量子井戸ヘテロ構造レーザーデバイスを研究しました。

1982 年、彼はイリノイ大学アーバナ校に戻り、電気およびコンピュータ工学の教授となり、インテル同窓会寄付講座の教授を務めました。彼と彼の学生は、980 nm歪み層InGaAs レーザーの波長範囲、しきい値電流密度、信頼性を実験的に定義した最初のグループでした。彼らは、選択領域エピタキシーによる高性能狭線幅 DBR レーザー、統合レーザー、その他のフォトニック デバイスを報告し、パターン化された量子ドット レーザーの成長プロセスを詳細に説明しました。

コールマンはイリノイ大学で29人以上の博士論文学生を指導し、そのほとんどは産業界で最初の仕事に就きました。彼は優秀教員リストに12回選ばれました。^[4]彼は現在、電気およびコンピュータ工学のインテル卒業生寄付講座の名誉教授です。^[5]

2013 年、彼はテキサス大学ダラス校のエリック・ジョンソン スクール電気工学科の特別教授 に就任しました。

コールマンは、フォトニクス分野に関連する主要な専門学会（IEEE、OSA、SPIE、APS、AAAS）の出版、会議、リーダーシップ活動に大きく関わってきました。彼は、IEEE Photonics Society（旧IEEE Lasers and Electro-Optics Society）で、IEEE Photonics Technology Lettersの編集委員（9年間）、著名講師、理事会選出メンバー、出版担当副会長を務めました。彼は、次期会長、会長^[6]、前会長を務め、協会のリーダーシップに5年間尽力しました。協会は2008年に彼に著名サービス賞を授与しました。^[7]

• 半導体レーザーとフォトニック材料への貢献により、米国工学アカデミー会員（2012年）。
• 全米発明家アカデミー会員（2014年）^[8]
• ジョン・ティンダル賞、IEEEフォトニクス協会およびアメリカ光学会（2013）^[9]
• SPIE技術功績賞（2011年）「選択成長した個別およびモノリシック集積化合物半導体レーザーおよび光子デバイスの方法、設計、および実証への貢献」^[10]
• IEEEデイビッド・サーノフ賞（2008年）「高信頼性歪層レーザーの開発におけるリーダーシップ」^[11]
• アメリカ光学会ニック・ホロニャック・ジュニア賞（2006年）「革新的なエピタキシャル成長法と斬新なデバイス設計による量子井戸および歪層半導体レーザーへの貢献」^[12]
• ISCSハインリッヒ・ウェルカー賞（2004年）「980nm Erファイバーポンプにつながる信頼性の高い歪層レーザーの実証」^[13]
• ウィリアム・ストライファー科学功績賞、IEEEレーザーおよび電気光学協会（2000年）「高信頼性歪層半導体レーザーの先駆的研究」^[14]