ジャガディッシュ・ムーデラ

ジャガディッシュ・スバイア・ムーデラはインド系アメリカ人物理学者で、 MITフランシス・ビター磁石研究所の上級研究科学者です。1994 年に PM テドロウと R. メザーベイが率いる MIT 研究チームと共同で、CoFe–Al2O3–Co ベースの磁気スタックを使用して室温磁気トンネル接合(MTJ) を実装する実用的な方法を示し、 11.8% の トンネル磁気抵抗比 (TMR)を実証しました。

低温磁気抵抗トンネル効果は1975年にミシェル・ジュリエールによって発見されましたが、室温システムが発見されるまでには10年以上かかりました。1991年に東北大学の宮崎照信らは、室温でTMRが2.7%のMTJを実証しました。1994年に宮崎のチームは、Fe-Al2O3-Feスタックをベースにした高TMR(18.0%)の室温MTJを開発しました。このように、宮崎とメルサベイの両名は、室温MTJの開発者として認められています。[1] 室温磁気抵抗トンネル効果は、その基礎的関心の高さに加えて、MRAMやハードディスクに使用される読み取りヘッドなどの実用的なデバイスの基礎となっています。

ムーデラは2000年に「固体中のスピン偏極輸送の理解に対する先駆的かつ継続的な貢献」によりアメリカ物理学会のフェローに任命された。 ^{[要出典] [1]} 強磁性トンネル効果を研究する前、ムーデラはボブ・メザーベイおよびポール・テドロウとともに超伝導接合におけるスピン偏極トンネル効果の研究に取り組んでいた。ムーデラ、メザーベイ、テドロウおよび宮崎は、「スピン依存トンネル効果の分野における先駆的研究と、これらの現象の磁気電子工学分野への応用」により2009年のオリバー・E・バックリー凝縮物質賞を共同受賞した。[2]

インドのバンガロール生まれのムーデラ氏は、マイソール大学（学士号および修士号）とインド工科大学（博士号）に進学しました。1981年に MIT の フランシス ビター マグネット研究所のスタッフに加わる前には、短期間ウェストバージニア大学に在籍していました。

• Moodera, JS; Kinder, Lisa R.; Wong, Terrilyn M.; Meservey, R. (1995 年 4 月 17 日). 「強磁性薄膜トンネル接合における室温での大きな磁気抵抗」. Physical Review Letters . 74 (16). American Physical Society (APS): 3273–3276. Bibcode :1995PhRvL..74.3273M. doi :10.1103/physrevlett.74.3273. ISSN  0031-9007. PMID  10058155.
• Moodera, Jagadeesh S.; Nassar, Joaquim; Mathon, George (1999). 「強磁性接合におけるスピントンネリング」。Annual Review of Materials Science . 29 (1). Annual Reviews: 381–432. Bibcode :1999AnRMS..29..381M. doi :10.1146/annurev.matsci.29.1.381. ISSN  0084-6600.