グルテージ・サンドゥ

グルテージ・シン・サンドゥ（1960年10月24日生まれ^{[ 1 ]} ）は、コンピュータメモリとソリッドステートストレージへの先駆的な貢献で広く知られるアメリカの発明家であり半導体技術者である。

サンドゥ氏は現在、マイクロン・テクノロジーの主席研究員兼副社長を務めており、1990年から同社に勤務している。^{[ 2 ] [ 3 ]}サンドゥ氏は世界で最も多作な発明家の一人であり、世界中で2,211件以上、米国では1,432件の特許を保有し、トーマス・エジソンの記録を上回っている。^{[ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ]}

グルテージ・シン・サンドゥは1960年10月24日にロンドンでインド系シーク教徒の両親のもとに生まれた。両親ともにロンドン大学の博士号取得者だった。サンドゥはインドのアムリトサルで育ち、父親はグル・ナーナク・デヴ大学の化学教授だった。^{[ 8 ]}

両親の影響を受け、サンドゥはグル・ナナク・デヴ大学で物理学の修士号（優等学位）を取得し、その後、インド工科大学デリー校で電気工学の修士号を取得しました。彼は米国に移り、ノースカロライナ大学チャペルヒル校で物理学の博士号を取得し、1990年に卒業しました。^{[ 2 ] [ 7 ] [ 3 ]}

サンドゥがマイクロンで成し遂げた初期の画期的な成果は、酸素への曝露を防ぐマイクロチップ用のチタンコーティングプロセスの開発であり、この技術は現在メモリチップの製造で広く採用されている。^{[ 9 ]}

彼の革新は、DRAM用の高誘電率膜の原子層堆積(ALD)、 NAND フラッシュのスケーリングのためのピッチ倍増技術、およびDRAM と NAND の製造で現在も使用されているCVD Ti/TiN プロセスなど、半導体製造のいくつかの重要なプロセスに及んでいます。^{[ 3 ]}これらの進歩により、メモリ チップのムーアの法則が継続され、高度なパターニングと材料統合の基礎となっています。

サンドゥ氏は、固体デバイスと技術への卓越した貢献により、2018年にIEEEアンドリュー・S・グローブ賞を受賞し、 IEEEフェローでもある。^{[ 3 ]} また、IITデリーから優秀卒業生賞も授与されている。^{[ 7 ]} 2024年現在、彼はその広範な特許ポートフォリオにより、世界トップクラスの発明家の一人として認められている。^{[ 5 ]}

サンドゥ氏はアイダホ州ボイシ在住で、謙虚な人柄と若いエンジニアへの指導で知られている。

彼はバスケットボールや卓球などのスポーツを楽しみ、イノベーションは特許の範囲を超え、多くの画期的な技術は企業秘密として保持されることを強調している。^{[ 2 ]}また、彼は慈善活動にも積極的に取り組み、教育イニシアチブを支援し、基調講演やIEEE Spectrumのインタビュー を通じて半導体スケーリングの思想的リーダーシップに貢献している。^{[ 10 ] [ 3 ]}