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舛岡富士雄（舛岡富士雄） | |
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| 生まれる | 1943年5月8日（年齢 81) |
| 国籍 | 日本語 |
| 母校 | 東北大学 |
| 知られている | フラッシュメモリ NORフラッシュ NANDフラッシュ GAAFET |
| 受賞歴 | IEEE モリス・N・リーブマン記念賞 |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 電気工学 |
| 機関 | 東芝 東北大学 ユニサンティス |
| 博士課程の指導教員 | 西澤潤一 |
舛岡 富士雄（1943年5月8日生まれ）は、日本の技術者であり、東芝や東北大学で勤務した後、現在はユニサンティス・エレクトロニクスの最高技術責任者（CTO）を務めている。彼は、1980年代にNORフラッシュとNANDフラッシュの両方の開発を含むフラッシュメモリの発明者として最もよく知られている。 [ 1 ]彼はまた、 1988年に最初のゲートオールアラウンド（GAA）MOSFET（GAAFET）トランジスタ、初期の非平面3Dトランジスタを発明した。
バイオグラフィー
舛岡は仙台の東北大学に入学し、1966年に工学の学士号を取得し、1971年に博士号を取得しました。 [2] 1971年に東芝 に入社し、電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリ（EEPROM）とフラッシュメモリの前身となる積層ゲートアバランシェ注入金属酸化膜半導体（SAMOS）メモリを発明しました。[3] [4] 1976年には、ダブルポリシリコン構造のダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）を開発しました。 1977年に東芝半導体事業部に移り、 1Mb DRAMを開発しました。[3]
舛岡は、電源を切っても記憶が残る不揮発性メモリのアイデアに最も興味をそそられた。当時のEEPROMは消去に非常に時間がかかった。彼は、はるかに高速に消去できる「フローティングゲート」技術を開発した。彼は1980年に飯塚久一とともに特許を申請した。 [5] [3] 同僚の有泉昭二は、消去プロセスがカメラのフラッシュを思い起こさせたため、「フラッシュ」という言葉を提案した。 [6]その結果（容量はわずか8192バイト）は1984年に発表され、はるかに大容量のフラッシュメモリ技術 の基礎となった。[7] [8]舛岡と同僚は1984年にNORフラッシュの発明を発表し、[9]その後、サンフランシスコで開催されたIEEE 1987 International Electron Devices Meeting （IEDM）でNANDフラッシュを発表した。[10]東芝は1987年にNANDフラッシュメモリを商業的に発売した。[11] [12]東芝はこの発明に対して舛岡に数百ドルのボーナスを支払い、後に彼を降格させようとした。[13]しかし、関連技術で数十億ドルの売上を上げたのはアメリカのインテル 社だった。[13] 東芝の広報部はフォーブスに対し、フラッシュメモリを発明したのはインテル社だと語った。[13]
1988年、舛岡率いる東芝の研究チームは、初のゲートオールアラウンド（GAA）MOSFET（GAAFET）トランジスタを実証した。これは初期の非平面3Dトランジスタであり、彼らはそれを「サラウンドゲートトランジスタ」（SGT）と呼んだ。[14] [15] [16] [17] [18]彼は1994年に東北大学の教授になった。[13] 舛岡は、1997年に電気電子技術者協会のIEEEモリスN.リーブマン記念賞を受賞した。[19] 2004年、舛岡はユニサンティスエレクトロニクスの最高技術責任者になり、1988年のサラウンドゲートトランジスタ（SGT）の発明に基づいて、3次元トランジスタの開発を目指した。 [17] [2] 2006年、彼は東芝との訴訟で8,700万円（約75万8,000米ドル）で和解した。[20]
彼は合計270件の特許を登録しており、さらに71件の特許を申請中です。[3]彼は、シングルトランジスタDRAMを発明したロバート・H・デナードとともに、ノーベル物理学賞の有力候補とされています。 [21]
認識
- 1997年 - IEEE モリス・N・リーブマン記念賞
- 2007年 -紫綬褒章
- 2013年 -文化功労者
- 2016年 -瑞宝重光章
- 2018年 - 本田賞
参考文献
- ^ Jeff Katz (2012年9月21日). 「舛岡富士夫のオーラルヒストリー」(PDF) .コンピュータ歴史博物館. 2017年3月20日閲覧。
- ^ ab 「会社概要」。ユニサンティス・エレクトロニクス（ジャパン）株式会社。2007年2月22日時点のオリジナルよりアーカイブ。2017年3月20日閲覧。
- ^ abcd "Fujio Masuoka". IEEE Explore . IEEE . 2019年7月17日閲覧。
- ^ 増岡不二雄 (1972 年 8 月 31 日). 「アバランシェ注入型 MOS メモリ」. Google Patents .
- ^ 「半導体メモリデバイスおよびその製造方法」。米国特許4531203 A。 1981年11月13日。 2017年3月20日閲覧。
- ^ Detlev Richter ( 2013 )。フラッシュメモリ：パフォーマンス、コスト、信頼性の経済的原則。Springer Series in Advanced Microelectronics。第40巻。Springer Science and Business Media。pp. 5–6。doi :10.1007 / 978-94-007-6082-0。ISBN 978-94-007-6081-3。
- ^ F. Masuoka、M. Asano、H. Iwahashi、T. Komuro、S. Tanaka (1984 年 12 月 9 日)。「トリプル ポリシリコン技術を使用した新しいフラッシュ E 2 PROM セル」。1984国際電子デバイス会議。IEEE。pp. 464–467。doi :10.1109/IEDM.1984.190752。S2CID 25967023 。
- ^ 「トリプルポリシリコン技術を使用した 256K フラッシュ EEPROM」(PDF)。IEEE歴史写真リポジトリ。2017年3 月 20 日閲覧。
- ^ 「東芝：フラッシュメモリの発明者」東芝。2019年6月20日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年6月20日閲覧。
- ^ Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. (1987). 「NAND 構造セルを備えた新しい超高密度 EPROM およびフラッシュ EEPROM」. Electron Devices Meeting, 1987 International . IEDM 1987. IEEE . doi :10.1109/IEDM.1987.191485.
- ^ 「1987年：東芝がNANDフラッシュを発売」eWeek 2012年4月11日2019年6月20日閲覧。
- ^ 「1971年：再利用可能な半導体ROMの導入」。コンピュータ歴史博物館。 2019年6月19日閲覧。
- ^ abcd フルフォード、ベンジャミン（2002年6月24日）。「無名の英雄」フォーブス。 2017年3月20日閲覧。
- ^ 増岡 不二雄; 高戸 秀; 須之内 健; 岡部 尚; 仁田山 明; 稗田 健; 堀口 文雄 (1988 年 12 月)。「超高密度 LSI 向け高性能 CMOS サラウンド ゲート トランジスタ (SGT)」。テクニカルダイジェスト、国際電子デバイス会議。pp. 222–225。doi :10.1109/IEDM.1988.32796。S2CID 114148274 。
- ^ Brozek, Tomasz (2017). マイクロエレクトロニクスとナノエレクトロニクス: 新興デバイスの課題と解決策。CRC Press。p . 117。ISBN 978-1-351-83134-5。
- ^石川文太郎 、ブヤノバ・イリーナ（2017）。『新奇な化合物半導体ナノワイヤ：材料、デバイス、および応用』CRC Press。p.457。ISBN 978-1-315-34072-2。
- ^ ab 「Company Profile」。Unisantis Electronics。2007年2月22日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年7月17日閲覧。
- ^ Yang, B.; Buddharaju, KD; Teo, SHG; Fu, J.; Singh, N.; Lo, GQ; Kwong, DL (2008). 「CMOS 互換のゲートオールアラウンド垂直シリコンナノワイヤ MOSFET」. ESSDERC 2008 - 第 38 回欧州固体デバイス研究会議. pp. 318–321. doi :10.1109/ESSDERC.2008.4681762. ISBN 978-1-4244-2363-7. S2CID 34063783。
- ^ 「IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award Recipients」。米国電気電子学会(IEEE)。2008年6月6日時点のオリジナルよりアーカイブ。2017年3月20日閲覧。
- ^ トニー・スミス（2006年7月31日）。「東芝、フラッシュメモリ発明家との争いで和解：科学者は8700万円を得るが10億円を要求」。ザ・レジスター。 2017年3月20日閲覧。
- ^ クリスティン・レウォツキー（2013年7月2日）。「なぜノーベル賞は記憶を忘れ続けるのか？」EE Times 。 2017年3月20日閲覧。