ロバート・H・デナード

ロバート・ヒース・デナード（1932年9月5日 - 2024年4月23日）は、アメリカの電気技師であり発明家であった。^{[ 1 ]}

デナードはテキサス州テレルで生まれた。 1954年と1956年にダラスのサザンメソジスト大学で電気工学の学士号と修士号を取得した。1958年にはペンシルベニア州ピッツバーグのカーネギー工科大学で博士号を取得した。彼の職業人生はインターナショナル・ビジネス・マシーンズの研究員として過ごした。^{[ 1 ]}

シングルトランジスタDRAM

発明当時、デナードと彼の同僚たちは、1ビットのデータを保存するためだけに6個のトランジスタを直列に使用した、かさばって高価なメモリシステムに固執していた。^{[ 2 ]}

ある晩、ソファに横になり、その日の同僚たちのプレゼンテーションについて考えていたとき、彼はある考えを思いついた。「もし、1つのトランジスタに少しの情報を保存できたらどうだろうか？」このひらめきが、デナードの最も重要なイノベーションであるDRAMのきっかけとなった。^{[ 3 ]}

1966年、彼はトランジスタとコンデンサからなる単一トランジスタメモリセルを発明し、1968年に特許を取得しました。^{[ 4 ]}これは、今日のダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）や、SRAMやFLASHメモリなど、他のほとんどすべてのメモリタイプの基礎となりました。DRAMは、より高速で大容量のメモリアクセスによって、コンピューティングの世界を変える上で重要な役割を果たしました。^{[ 1 ]}今日、DRAMはサーバーからパーソナルコンピュータ、モバイルデバイスまで、多くのデバイスで広く使用されています。2024年現在、DRAM市場は1,000億ドルを超えると推定されています。^{[ 5 ]}

デナードスケーリング

デナードは、 MOSFETの小型化が持つ計り知れない可能性をいち早く認識した人物の一人でもあった。彼と彼の同僚が1974年に提唱したスケーリング理論では、MOSFETは電圧制御スイッチとして機能し続け、レイアウト密度、動作速度、エネルギー効率などの主要な性能指標はすべて向上すると仮定している。ただし、幾何学的寸法、電圧、ドーピング濃度を一定のスケールで調整して電界を維持することが前提となる。この特性が、ムーアの法則の実現と、過去数十年にわたるマイクロエレクトロニクスの進化の根底にある。^{[ 1 ]}

受賞歴と表彰

1984年、デナードはFET技術における先駆的な業績、特に1トランジスタダイナミックRAMの発明やスケーリング理論への貢献が認められ、全米技術アカデミーの会員に選出された。

デナードは技術的な業績以外にも、他の創造的な分野にも携わっていた。引退後も、合唱やスコットランド舞踊を通して創造性を刺激し続けた。^{[ 3 ]}

デナードは2024年4月23日に91歳で亡くなった。^{[ 6 ] [ 1 ]}

• ロバート・N・ノイス賞 (2019年) ^{[ 7 ]}
• 京都賞（2013年）^{[ 8 ]}
• カーネギーメロン大学名誉科学技術博士号（2010年）
• IEEE名誉勲章（2009年）
• IEEEエジソンメダル（2001年）^{[ 9 ]}
• フランクリン研究所よりベンジャミン・フランクリン電気工学メダル（2007年）^{[ 10 ]}
• 米国工学アカデミー（NAE）チャールズ・スターク・ドレイパー賞（2009年）
• アメリカ哲学会の会員に選出（1997年）^{[ 11 ]}
• サザンメソジスト大学名誉理学博士（1997年）
• イスラエル・ハイファのテクニオン工科大学よりハーベイ賞を受賞（1990年）
• 産業研究所（IRI）功績賞（1989年）^{[ 12 ]}
• 米国国家技術勲章（1988年）^{[ 13 ] [ 14 ] [ 3 ]}
• 全米技術アカデミー会員（1984年）
• IEEEクレド・ブルネッティ賞（1982年）
• IBMフェローに任命される（1979年）

• デナードのスケーリング

• 「ロバート・デナード」、今週の発明家（アーカイブ）、MIT、2003年4月15日にオリジナルからアーカイブ。
• 「ロバート・H・デナード」、レガシーズ（略歴）、IEEE、2017年8月10日、2014年11月21日のオリジナルからアーカイブ、 2011年7月25日取得。