フランク・F・ファング

フランク・F・ファン（1930年9月11日、北京生まれ）は、中国系アメリカ人の固体物理学者。彼は、1966年に半導体における2次元電子ガスとその量子特性の検出に成功したチームの一員であった。

ファンは1951年に国立台湾大学で学士号を取得し、 1954年にノートルダム大学で修士号を取得した。1959年にイリノイ大学アーバナ・シャンペーン校で電気工学の博士号を取得した。1959年から1960年にかけてボーイング社で働き、1960年からはIBMで研究を行った。^[1]

ジョン・ロバート・シュリーファーは1956年に金属・絶縁体・半導体構造（MIS）の2次元形状による電子輸送の量子効果を予測した。この検出は、1966年にIBMのファン、アラン・B・ファウラー、フィリップ・J・スタイルズ、ウェブスター・ユージン・ハワードのチームによって、強力な磁場を適用することで初めて成功した。^[2]

1982年、ファングはアメリカ物理学会のフェローに選出された。1984年には「シリコン反転層の2次元特性の発見と説明、および半導体デバイス研究への貢献」によりIEEEフェローに選出された。 ^[3]

1981年、彼はファウラー、ハワード、スタイルズ、フランク・スターンとともにフランクリン研究所からウェザリル賞を受賞した。スターンとハワードは1966年の実験の理論的説明を行った。^[4] 1988年、ファングはアラン・B・ファウラーとフィリップ・J・スタイルズとともにオリバー・E・バックリー凝縮物質賞を受賞した。

• Fang, FF; Fowler, AB (1968). 「反転シリコン表面における電子の輸送特性」. Physical Review . 169 (3): 619–631. Bibcode :1968PhRv..169..619F. doi :10.1103/PhysRev.169.619.
• Fang, FF; Stiles, PJ (1968). 「傾斜磁場の2次元電子ガスへの影響」. Physical Review . 174 (3): 823–828. Bibcode :1968PhRv..174..823F. doi :10.1103/PhysRev.174.823.
• Fang, FF; Fowler, AB (1970). 「シリコン反転層におけるホットエレクトロン効果と飽和速度」。応用物理学ジャーナル。41 (4): 1825–1831。Bibcode : 1970JAP ....41.1825F。doi :10.1063/1.1659111。
• Fang, FF; Fowler, AB; Hartstein, A. (1977). 「(100) Si表面電子の有効質量と衝突時間」. Physical Review B. 16 ( 10): 4446–4454. Bibcode :1977PhRvB..16.4446F. doi :10.1103/PhysRevB.16.4446.
• Luo, J.; Munekata, H.; Fang, FF; Stiles, PJ (1988). 「gasb-inas-gasb 量子井戸における基底電子サブバンドのゼロ磁場スピン分裂の観測」. Physical Review B. 38 ( 14): 10142–10145. Bibcode :1988PhRvB..3810142L. doi :10.1103/PhysRevB.38.10142. PMID  9945862.