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フランシス・B・ヒューグル | |
|---|---|
| 生まれる | フランシス・ベティ・サーナット 1927年8月13日 |
| 死亡 | 1968年5月24日（40歳） |
| 国籍 | アメリカ人 |
| 母校 | シカゴ大学、シンシナティ大学 |
| 職業 | 科学者、エンジニア、発明家 |
| 知られている | 微細回路と集積回路のパイオニア、テープ自動接着の発明者 |
| 配偶者 | ウィリアム・ベル・ヒューグル |
| 両親） | ネイサン・サーナット、リリアン・スタインフェルド |
フランシス・サーナット・ヒューグル（1927年8月13日 - 1968年5月24日）は、アメリカの科学者、技術者、発明家であり、半導体、集積回路、微細材料の独自の電気原理の理解に貢献した。[1]彼女はまた、今日でも使用されている微細回路、集積回路、マイクロプロセッサの実用的な（大量）製造のための技術、プロセス、機器を発明した。[2]
1962年、ヒューグルはシリコンバレー初の半導体企業の一つであるシリコニクスを共同設立した。彼女は「半導体ファミリーツリー」に含まれる唯一の女性である。[3]
幼少期と教育
フランシス・ベティ・サーナット（サーナツキー）は、1927年8月13日、イリノイ州シカゴで、ネイサン・サーナット（サーナツキー）とリリアン・スタインフェルドの子として生まれた。サーナットはシカゴ南部のハイドパーク高校に通い、化学、物理、生物クラブなど、学校の多くの科学クラブに参加した。1944年の春、卒業直前に、ハイドパーク高校の代表としてシカゴ数学コンテストに出場し、優勝した。[4]
卒業後、サーナットはシカゴ大学に入学した。1946年、18歳で哲学の学士号を取得した。[5]ここで学んでいる間に、1947年に同級生のウィリアム・B・ヒューグルと結婚した。[5] [6] 2人は一緒にいくつかの研究開発会社を設立した。
1957年、シカゴ大学は、1944年から1947年の間に彼女が修了した授業に基づいて、化学の理学士号も授与した。 [5]
ヒューグルは、ニューヨーク州ブルックリンのブルックリン工科大学で、X線回折技術の研究を含む結晶学の大学院研究を行った。[要出典]
ヒューグルはカナダの大学から名誉博士号も授与された。1960年代半ばにはサンタクララ大学で教鞭をとった。[要出典]
職業経歴
ヒューグルは1940年代半ばに最初の研究会社であるハイコ・ラボを設立し、研究部長に就任した。ハイコ・ラボで彼女は材料、プロセス、特殊装置の研究開発を開始し、これが彼女の将来の仕事の基盤となった。結婚後、ヒューグル夫妻はスチュアート・ラボラトリーズ社を設立した。[6] [8]彼女は1949年10月から1951年2月までスチュアート・ラボラトリーズで働いた。夫妻にはマーガレット、シェリル、デビッド、リンダの4人の子供がいる。
1951年3月、彼女はスタンダード・エレクトロニクス・リサーチ社に就職し、そこで「秘密」作業が許可された。彼女はスタンダード・エレクトロニクス・リサーチ社に1952年8月まで在籍し[要出典]、その後まもなくボールドウィン・ピアノ社に就職した。同社は電子オルガンにトランジスタを採用しようとしており、「軍事および産業用電子機器」に興味を持っていた可能性がある。[6] [9] [10] 1959年、ヒューグルと夫はピッツバーグのウェスティングハウス社で働き始めた。[9] 1960年、ウェスティングハウス社の要請でヒューグル夫妻は南カリフォルニアに移り、宇宙電子工学研究所を設立した。[11]
1961年後半、ハグルズ夫妻は再びサンフランシスコ湾岸地域のサンタクララにあるローレルウッド地区に移り、1962年にシリコニクスを共同設立した。 [8] [12]彼女はシリコニクスの最初の製品を開発し、同社の初代研究部長兼主任エンジニアとなった。[13] [14]
1964年にシリコニクスを去った後、ヒューグルは夫と共同で設立した2つの半導体会社で製品開発を行った。スチュワート・ワーナー・マイクロサーキット社では再び研究部長兼主任エンジニアを務めた[8] [9]、ヒューグル・インダストリーズ社である。彼女は胃がんにかかり、40歳で亡くなった[15]。
発明と特許
ヒューグルは少なくとも17件の特許を取得しており、そのうちいくつかは死後に取得された。[16]これらの特許の中には、テープ自動接合（TAB）（ゼネラル・エレクトリックが初めて商用化した技術）の発明が挙げられており、また、ヒューグルはフレックスベースのパッケージングの特許を取得した最初の人物でもある。[17] [18] [19] [20]彼女はまた、初期のフリップチップ技術の先駆者としても知られている。[8]特許には以下が含まれる。
- US 3226271、Hugle, Frances B. および Hugle, William B.、「半導電性フィルムおよびその製造方法」、1965 年 12 月 28 日公開
- US 3481801、ヒューグル、FB、「集積回路の分離技術」、1969年12月2日公開。この特許は、スミソニアン国立アメリカ歴史博物館に展示されているチップコレクションに含まれています。 [21]
- US 3574007、Hugle、Frances B.、「改良された MIS トランジスタ アレイの製造方法」
参考文献
- ^ 米国特許 3465213、Frances B. Hugle 他、「トランジスタのベース駆動電流を制限する自己補償構造」、1969 年 9 月 2 日発行
- ^ Gilleo, Ken. 「第 5 章: チップ キャリアとしてのプリント回路」(PDF)。 PC Fab 。 2012 年5 月 30 日閲覧。[永久リンク切れ ]
- ^ Hoefler, Don C. (1968年7月8日). 「半導体ファミリーツリー」(PDF) . Electronic News . 2016年4月18日時点のオリジナル(PDF)からアーカイブ。 2013年4月3日閲覧。
- ^ 「3 Hyde Park Seniors Find Higher Math a 'Pushover'」サウスタウン・エコノミスト。1944年5月7日。 2012年10月11日閲覧。
- ^ abc 同窓生について - 同窓生の死亡;シカゴ大学マガジン、第96巻第3号; 2004年2月。
- ^ abc 「ウィリアム・ベル・ヒューグル - 発明家」; Hendricks, Tyche; SF Gate ; 2003年10月17日の死亡記事; 2012年11月4日閲覧。
- ^ サーナット・ヒューグル、フランシス。ロジウムの陰極除去。ワールドカタログOCLC 37948461。
- ^ abcd Levine, Bernard; Guinther, Fred; 1997年2月24日; The Package、「Electronic News」43:2156; p. 36。
- ^ abc Rostky, George; 1997 年 10 月 30 日; A Radio and Silicon、「Electronic Engineering Times」、第 978 号、pp. 113–120。
- ^ Hoffler, Don C.; 1971 年 1 月 18 日; Silicon Valley USA、パート II ; 「電子ニュース」
- ^ ストリックラー、キャロリン（1961年10月）。「Pictorial Living」ロサンゼルス・エグザミナー。
- ^ Vishay. 「Vishay 50年のタイムライン」Vishay . 2012年5月30日閲覧。
- ^ キャリー、ピート; 2003 年 10 月 16 日;シリコンバレーのパイオニア、シリコニクスの創設者が 76 歳で死去、「マーキュリー ニュース」; p 1C。
- ^ US 3328214、Hugle、Frances、「水平トランジスタ構造の製造方法」、1967-06-27 発行
- ^ https://ggstem.wordpress.com/wp-content/uploads/2015/04/fran-obit.jpg [裸のURL画像ファイル]
- ^ 「Google Patent Search、名前 = Frances Hugle」 。 2012年10月15日閲覧。
- ^ Vardaman, E. Jan. 「フレックス回路の柔軟性」。2010年 10 月 29 日金曜日 17:17。プリント回路設計と製造。2012年5 月 23 日閲覧。
- ^ US 3465150、ヒューグル、フランシス、「半導体の整列方法」、1969 年 9 月 2 日公開
- ^ トゥンマラ、ラオ (2001)。マイクロシステムのパッケージングの基礎。マグロウヒル。ページ44、363。ISBN 978-0071371698。
- ^ Gilleo, Ken; 2005 年 8 月; Flex、チップ、RFID: ミネアポリスでの相乗効果; 「CircuiTree」; 18:8; pp 48、50。
- ^ Hugle, Frances. 「集積回路の分離技術」。1966年10月10日提出。国立アメリカ歴史博物館。 2012年5月23日閲覧。