カットオフ（電子機器）

電子工学において、カットオフとは、制御パラメータ（通常は明確に定義された電圧または電流ですが、入射光強度または磁場の場合もあります）が値（伝導しきい値）を超えて低下または上昇したときに、いくつかの種類の電子部品の特性である伝導が無視できる状態を指します。通常の伝導からカットオフへの遷移は、検討対象のデバイスの種類に応じて、より急激またはより緩やかになる可能性があり、この遷移の 速度も大幅に異なります。

• 銅酸化物ダイオード: 通常はゲルマニウムとシリコンのダイオードの間 (0.2-0.5V)
• Diac : 構成によって異なります。
• ゲルマニウムダイオード：約0.3V、温度により変化します。
• ショットキーダイオード：0.10～0.45（温度により変化）。
• セレンダイオード: 使用年数と電流によって異なります。通常はシリコンダイオードよりも高くなります。
• シリコン ダイオード: Vf が約 0.7 V を下回るとカットオフが発生します。正確な電圧は温度によって異なります。
• 熱電子ダイオード: カットオフ電圧はデバイスの設計によって異なります。シリコン デバイスの場合よりもはるかに高くなります。
• ツェナー ダイオード: 逆方向カットオフはダイオードの定格電圧によって定義されます。順方向カットオフは約 0.6 V です。

• BJT : 構成によって異なります。
• ゲルマニウム トランジスタ: 約 0.2 V、温度により変化します。
• MOSFET : 構成によって異なります。
• シリコントランジスタ：約 0.6 V、温度により変化します。
• TRIAC : 構成によっても異なります。

• 三極管: 印加されたグリッドバイアスが低すぎると三極管は遮断されます。これは通常の状態では負の電圧になります。
• 四極管、五極管など: グリッド間にはある程度の相互作用があり、値はデバイスごとに異なります。アノード電圧もカットオフ電圧に影響します。

遮断期間が長くなると、陰極中毒が発生します。

可変ピッチのらせん構造の制御グリッドを備えた真空管(五極管など、三極管、六極管、七極管などもある)は、完全にカットオフされる (つまり、有意な出力が得られない) 前に、より負のグリッド電圧で動作させ、増幅度を下げることができる(つまり、有意な出力が得られない)。増幅度 (ミューと呼ばれることもある) とトランスコンダクタンスを変えることができるこの機能は、ラジオ受信機の自動ゲイン制御(AGC) ステージで役立つ。この特性を持つデバイスは、リモートカットオフ型、可変ミュー型、またはスーパーコントロール型 と呼ばれる。

通常の制御グリッド配置では、真空管は入力 (グリッド) 電圧と出力 (アノード/プレート) 電流の間にほぼ二乗則の関係を持ち、後者はほぼゼロまで急激に低下します。この特性は通常、線形RFおよびオーディオ用途に必要です。例: EF86および6AK5。

セミリモートカットオフデバイスは、リモートカットオフデバイスとシャープカットオフデバイスの中間の特性を持っています。

• ダイオード
• 電気伝導
• 電子部品
• JFETおよびMOSFET形式の電界効果トランジスタ
• トランジスタ
• 真空管

• 真空管のシャープカットオフ制御グリッドの説明。
• 真空管のリモートカットオフ制御グリッドの説明。