クロスライトソフトウェア

クロスライトソフトウェア株式会社

会社種別	プライベート
業界	半導体デバイス
設立	1995
本部	ブリティッシュコロンビア州バンクーバー 、 カナダ
主要人物	サイモン・リー博士、創設者兼CEO
製品	テクノロジー CAD
Webサイト	クロスライト

Crosslight Software Inc.は、カナダのブリティッシュコロンビア州バンクーバーに本社を置く国際企業です。 1995年にカナダ国立研究会議（NRC）から正式に分離され、^[1]半導体デバイスおよびプロセスシミュレーション用の技術コンピュータ支援設計（TCAD）ツールを提供しています。

Crosslightの創設者であるZM Simon Li (李湛明)博士は、 光電子デバイスシミュレーションTCADの分野の先駆者^{[2]であり、この研究に基づいて、Crosslightは}量子井戸レーザーダイオード用のTCADツールの最初の商用ベンダーであると主張しています。Crosslightは、半導体プロセスシミュレーション用にスタンフォード大学TCADグループから他の技術のライセンスも取得しています 。

NRCからの最初のスピンオフ後、クロスライトは主力製品である量子井戸レーザーダイオードの2DシミュレーターであるLASTIPを発売しました。創設者の研究に基づいて、^[2] LASTIPはMINILASEなどのこの分野でよく知られている他のツールよりも古いものです。^[3] 量子井戸のアクティブ領域をモデル化する機能を追加することで、LASTIPは日立のHILADIESなどの以前の同等の取り組みから大幅に進歩しました。^[4] 初期のレーザーダイオードTCADツールは主に個々の研究者が独自に使用するために開発されたため、クロスライトはLASTIPの商品化によりこの分野で市場初の製品になったと主張しています。

その後、オプトエレクトロニクスデバイスの3Dモデリング用のPICS3Dの開発など、技術のさらなる改良が続き、この功績により、クロスライトは1998年にレーザーフォーカス世界商業技術功績賞を受賞しました。^[5]太陽電池や発光ダイオード などの非レーザーTCADアプリケーション向けに、APSYSと呼ばれる3番目のツールが開発されました。^{[6] [7]}

2004年3月、クロスライト社はスタンフォード大学から伝説的な2DプロセスシミュレータSUPREM-IV.GS ^[8]のライセンスを取得し 、プロセスシミュレーションツールCSUPREMの中核として3Dに拡張しました。

2010年1月、クロスライトは薄膜太陽電池と画像ピクセルセンサーのシミュレーションの高速化を目的としてアクセルウェアと提携しました。 ^[9]

クロスライトは設立以来、世界規模の産業界および学術界のユーザー基盤を築き上げ^[10] 、様々な大学や研究機関の研究・学術プロジェクトを支援してきました。^{[11] [12] [13] [14] [15] [16]また、ノーベル賞受賞者の}中村修二氏 をはじめ、半導体デバイス分野の多くの一流研究者とも協力してきました。^[17]

レーザー技術統合プログラムは、クロスライト社の主力製品であり、シリコン IC 業界と同等の成熟度をレーザーダイオード コミュニティにもたらすことを目的としていました。このプログラムには、 さまざまなタイプのスペクトル広がりを持つ量子井戸/ワイヤ/ドットの光学ゲイン モデル、多体効果のクーロン相互作用、 kp 非放物線サブバンド、および複数の横方向モードをサポートする構造における光学モード競合モデルが含まれています。^[2]

3D フォトニック集積回路シミュレーターは、表面およびエッジ発光レーザーダイオード、 SOA、その他の同様のアクティブ導波路デバイス用の最先端の 3D シミュレーターです。2/3 次元半導体方程式 (ドリフト拡散) は、横方向と縦方向の両方向で光モードに結合されます。量子井戸/ワイヤ/ドットの光利得や自然放出率などの光学特性は、自己矛盾なく計算されます。

半導体デバイスの高度な物理モデルは、バンド構造エンジニアリングと量子力学的効果を重視した複合半導体デバイスの電気的、光学的、熱的特性の 2D/3D 有限要素解析に基づいています。マイクロエレクトロニクス業界で使用される他の TCAD ツールとは異なり、シリコンはより一般化された半導体材料ライブラリの特殊なケースにすぎません。

(Crosslight-SUPREM) は、スタンフォード大学の集積回路研究所で開発された SUPREM.IV.GS コードに基づく 3D プロセス シミュレーション ソフトウェア パッケージです。

(PROcesses of COMpounds) は、金属有機化学気相成長法 (MOCVD) による化合物半導体の成長のための 2/3 次元プロセスシミュレーションソフトウェアパッケージです。堆積リアクターの形状、化学種、成長条件パラメータを指定すると、PROCOM は詳細な化学反応速度論と質量/熱伝達モデルに基づいて、半導体膜の成長速度、組成、厚さの均一性、ドーパントの取り込み、欠陥分布を予測します。^[18]