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| タイプ | MOSFET トランジスタ |
|---|---|
| 動作 | Nチャネル |
| ピン名 | G = ゲート、D = ドレイン、S = ソース。このシンボルは、必ずしも基板とソース/ドレイン/チャネルの間に形成される内部ダイオードを示すわけではありません。 |
| 電子シンボル | |
 | |
2N7000は、低電力スイッチングアプリケーションに使用される Nチャネルのエンハンスメントモード MOSFETです。 [1]
2N7000は広く入手可能で人気のある部品であり、趣味で使うのに便利で一般的な部品としてよく推奨されています。[2]
TO-92エンクロージャ
にパッケージされた2N7000 は、60ボルトに耐えることができ、200ミリアンペアを切り替えることができます。
アプリケーション
2N7000は「FETlington」や「絶対的に理想的なハッカー部品」と呼ばれています。[3]「FETlington」という言葉は、ダーリントントランジスタのような飽和特性を指しています。
これらのトランジスタの典型的な用途は、小型ランプ、モーター、リレーのドライバーなど、中程度の電圧と電流のスイッチです。 [1]スイッチング回路では、これらのFETはバイポーラ接合トランジスタとほぼ同じように使用できますが、いくつかの利点があります。
- 絶縁ゲートの入力インピーダンスが高いため、ゲート電流はほとんど必要ありません。
- したがって、ゲート入力に電流制限抵抗は不要である。
- MOSFETは、PN接合デバイス（LEDなど）とは異なり、抵抗が温度とともに増加するため並列接続が可能ですが、この負荷バランスの品質は、回路内の個々のMOSFETの内部化学に大きく依存します。
スイッチングにおけるバイポーラ トランジスタと比較したこれらの FET の主な欠点は次のとおりです。
- 設置前の静電気放電による累積的な損傷の影響を受けやすい
- 外部ゲート露出回路には保護ゲート抵抗器またはその他の静電放電保護が必要である。
- バイポーラ接合トランジスタの一定の接合電圧降下と比較して、飽和まで駆動されたときの非ゼロ抵抗応答
その他のデバイス
他にも多くのnチャネルMOSFETが存在します。部品番号には2N7002、BS170、2N7002、VQ1000J、VQ1000Pなどがあります。これらはピン配置、パッケージ、電気特性が異なる場合があります。BS250Pは「2N7000の優れたpチャネルアナログ」です。[4]
参考文献
- ^ ab 「2N7000/2N7002、VQ1000J/P、BS170」(PDF)。Vishay Siliconixデータシート。2011 年3 月 28 日に取得。
- ^ H. Ward Silver (2005). 初心者のための双方向無線機とスキャナー。p. 237. ISBN 0-7645-9582-2。
- ^ ランカスター、ドン（1986年2月）。「ハードウェアハッカー」。モダンエレクトロニクス。3 （2）。リチャードロス：115。ISSN 0748-9889 。
- ^ Lucio Di Jasio、Tim Wilmshurst、Dogan Ibrahim (2007)。PIC マイクロコントローラ。Newnes。p. 520。ISBN 978-0-7506-8615-0。
外部リンク
- 実験者向けアプリケーションノート
- 電界センサーは、シンプルなLED回路で極めて高いゲートインピーダンスを実証します
- 単一のMOSFETの駆動 同様のMOSFETの使用方法の詳細な説明
- データシート
- 2N7000、200mA、TO-92ケース、Wayback Machineで2007年9月27日にアーカイブ、On Semiconductor
- BS170、500mA、TO-92ケース Archived 24 October 2020 at the Wayback Machine、On Semiconductor
- 2N7002、300mA、SOT-23ケース、NXPセミコンダクターズ
- NX7002AK、300mA、SOT-23 ケース、NXP セミコンダクターズ