10 µmプロセスJJapedia 編集部|更新日: 2026年7月29日10μmプロセス（10マイクロメートルプロセス）は、 RCAやインテルなどの企業によって1971年頃に商業的に達成されたMOSFET半導体プロセス技術のレベルです。[ 1 ] [ 2 ]10μmプロセスとは、確実に製造できる最小サイズ、すなわち、2本の1層メタルレーンの中心間距離であるハーフピッチとトランジスタのゲート長を指します。初期のノードでは、これら2つの値は同一でした。このプロセスで製造されたチップ上の最小のトランジスタやその他の回路素子は、幅約10マイクロメートルでした。 10μm製造プロセスを採用した製品RCAのCD4000シリーズの集積回路 は、1968年に20μmプロセスで始まり、その後徐々に微細化され、 数年後には最終的に10μmに達した。[ 3 ]Intel 1103は、1970年に発売された初期のダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）チップで、8μm プロセスを使用していた。[ 4 ] 1971年に発売されたIntel 4004 CPUは 、10μmプロセスを使用して製造されました。[ 5 ]1972年に発売されたIntel 8008 CPUは、このプロセスを使用して製造されました。[ 5 ]参考文献↑ Mueller, S (2006年7月21日). 「1971年から現在までのマイクロプロセッサ」 . informIT . 2012年5月11日取得。↑ Myslewski, R (2011年11月15日). 「Intel 4004、40歳の誕生日おめでとう！」 TheRegister. 2015年4月19日のオリジナルからアーカイブ済み。2015年4月19日閲覧。↑ Lojek, Bo (2007).半導体工学の歴史. Springer Science & Business Media . p. 330. ISBN 9783540342588。↑ Lojek, Bo (2007).半導体工学の歴史. Springer Science & Business Media . pp. 362–363 . ISBN 9783540342588i1103は、最小パターンサイズ8μmの6マスクシリコンゲートP-MOSプロセスで製造されました。結果として得られた製品は、2,400μmのメモリセルサイズ、10mm²弱のダイサイズを持ち、約21ドルで販売されました。1 2 「インテルマイクロプロセッサの歴史 - Listoid」。2015年4月27日のオリジナルからアーカイブ済み。2015年4月19日取得。外部リンクマイクロプロセッサ開発の簡単な年表（ 2012年3月3日にWayback Machineにアーカイブ済み）カテゴリー：半導体向け国際技術ロードマップ リソグラフィノード1971年の紹介ナノテクノロジーの断片非表示のカテゴリ:短い説明付きの記事短い説明はWikidataとは異なります2022年3月以降の日付（dmy形式）を使用してください。ウェブアーカイブテンプレートのウェイバックリンクすべてのスタブ記事関連するトピック関連マイクロメートルプロセス）は、関連RCA関連インテル関連MOSFET
