ウォルター・ショットキー研究所

ヴァルター・ショットキー研究所（WSI）（ドイツ語：Walter-Schottky-Institut）は、ミュンヘン工科大学の半導体物理学を専門とする研究センターです。1988年に設立され、ガルヒングキャンパスに位置しています。物理学者ヴァルター・H・ショットキーにちなんで名付けられました。

基礎物理学と応用半導体エレクトロニクスの間のギャップを埋める学際的な研究施設の構想は、1980年代初頭に生まれた。1985年2月、ミュンヘン工科大学のゲルハルト・アブシュトライター教授は、半導体研究とデバイス開発に特化した研究所の設立に関する覚書を作成した。発表直前までミュンヘン工科大学の物理学科で働いていたクラウス・フォン・クリッツィングが1985年にノーベル物理学賞を受賞した後、すでにシーメンスの研究委員会によって支持されていたこの構想は、大きな賛同を得た。^{[ 1 ]}

こうして、早くも1985年12月には、ミュンヘン工科大学とシーメンスによる共同プロジェクトとして研究所を設立するための一般的な条件がバイエルン州政府と協議された。建設費用はシーメンスとバイエルン州が共同で負担した。2年間の建設を経て、ヴァルター・ショットキー研究所は1988年7月14日に正式に開所した。大学は1992年に研究所を完全に引き継いだ。^{[ 1 ]}

^{研究所の建物は2400平方メートル}の面積を有し、4つの研究室に8つの研究グループが所属し、合計150名以上の職員が研究室とオフィスを構えています。そのうち250平方メートルは^{クリーンルーム}として利用可能です。設備には、ナノエレクトロニクス構造の作製に使用される複数の分子線エピタキシー装置が含まれています。当研究所は、半導体ヘテロ構造の作製と特性評価において、世界有数の研究施設の一つとされています。

2010年7月、すぐ近くにナノテクノロジー・ナノサイエンスセンターという増築棟が開設された。 ^{[ 2 ]}