トゥオモ・サントラ

トゥオモ・サントラ
2014年のサントラ
生まれる	1943年（80～81歳） タンペレ、フィンランド
国籍	フィンランド語
母校	ヘルシンキ工科大学
知られている	原子層堆積
受賞歴	フィンランド獅子勲章- ナイト一等、2004年欧州SEMI賞、2018年ミレニアム技術賞
科学者としてのキャリア
フィールド	材料科学

トゥオモ・スントラ（1943年生まれ）は、フィンランドの物理学者、発明家、技術リーダーです。彼は、原子層堆積と呼ばれる薄膜成長技術を開発した、材料科学における先駆的な研究で最もよく知られています。

サントラは継続戦争中の1943年にピルカンマー県タンペレで生まれた。彼は幼い頃から技術に興味を示し、第二次世界大戦の航空機の木製レプリカを作った。10代になると彼の興味は広がり、ラジオやアンプへと進んだ。^[1]

1971年、トゥオモ・スントラはヘルシンキ工科大学で半導体物理学の博士号を取得しました。博士号取得後、スントラはフィンランドのVTT技術研究センターで勤務し、気象計器を専門とするフィンランド企業ヴァイサラ社向けに薄膜湿度センサー「Humicap」を開発し、初の産業開発を行いました。

1974年、スントラはフィンランドのInstrumentarium Oy社で薄膜エレクトロルミネセンスディスプレイの開発を開始しました。彼は、非常に高い誘電強度を持つ薄膜を必要とするELデバイスの製造ソリューションとして、今日では原子層堆積（ALD）として知られる原子層エピタキシー（ALE）技術を導入しました。 ^[2]この技術は、1980年代半ばにフィンランドのLohja CorporationによってELデバイスの工業生産に導入されました。^{[3]原子層堆積は、後に}半導体デバイス製造における主要な製造技術の1つになりました。

1987年、Suntola氏は国営石油会社Neste Oyの子会社としてMicrochemistry Ltdを設立し、薄膜太陽電池デバイス、不均一触媒、そして最も重要な半導体デバイスなどの新しい応用分野にALD技術を適用しました。1998年、Microchemistry Ltd.とALD技術は、半導体製造装置の大手サプライヤーであるオランダのASM Internationalに売却され、Microchemistry Ltd.はASMのフィンランドの子会社としてASM Microchemistry Oyになりました。1997年、Microchemistry Ltd.の買収に先立ち、Suntola氏はNeste Corporationと国営電力会社の合併により設立された国営エネルギー会社Fortum Corporationの研究員としてスタートしました。Suntola氏のFortumでの活動は、再生可能エネルギーと高度なエネルギー技術に重点を置いていました。2004年にFortumを退職しましたが、フィンランドのALDリアクターメーカーであるPicosun Oyの取締役として引き続き務めています。

1990年代から、サントラは相対性理論、量子力学、宇宙論の標準理論に代わると主張する理論に取り組んできました。この理論は「ダイナミックな宇宙 - 物理的現実の統一的な描像に向けて」という本で発表されました。^[4]関連書籍「科学小史」で、サントラは古代から現代までの科学的現実描像の発展をたどり、ダイナミック宇宙理論で頂点に達しています。^[5]

2004年、サントラは「ナノスケールの半導体デバイスの開発への道を開いた原子層堆積技術の先駆者を称える」欧州SEMI賞を受賞した。^[3]

2018年、スントラ氏は「マイクロプロセッサやコンピュータメモリデバイスに必要な極薄の絶縁膜や導電膜は、トゥオモ・スントラ氏が開発したALD技術によってのみ製造できる」という功績により、情報技術の発展への貢献が認められ、フィンランドのミレニアム技術賞を受賞した。 ^[6] 74歳のスントラ氏は100万ユーロ（118万ドル）の賞金を授与された。彼の技術は、コンピュータ、スマートフォン、マイクロプロセッサ、デジタルメモリデバイスなど、さまざまなデバイス用の極薄材料層の製造に使用されており、小型で高性能を実現している。^[7]

• T. Suntola、「カルコゲニド薄膜におけるスイッチング効果のメカニズムについて」、Solid-State Electronics 1971、第 14 巻、933 ～ 938 ページ
• 1972-11-12/1979-08-21、US 4,164,868 サントラ、静電容量式湿度トランスデューサー
• 1974-11-29/1977-11-15、US 4,058,430 サントラ、アントソン、複合薄膜の製造方法
• 1979-02-28/1983-11-01、US 4,413,022 Suntola、Pakkala、Lindfors、複合薄膜の成長を実行する方法
• 1980-08-20/1983-06-14、US 4,388,554 サントラ、アントソン、エレクトロルミネセンスディスプレイ部品
• T. Suntola、「原子層エピタキシー」、ICVGE-5 技術ダイジェスト、サンディエゴ、1981 年
• Ｔ．スントラ、Ｊ．ヒバリネン、「原子層エピタキシー」、Ａｎｎｕ．メーター牧師。科学。 15 (1985) 177
• 1985-03-05/1990-03-13、US 4,907,862 Suntola、電子的に制御可能な色要素を生成する方法およびこの方法に基づく色ディスプレイ
• T. Suntola、「原子層エピタキシー」、Materials Science Reports、第 4 巻、第 7 号、1989 年 12 月、0920-2307/89、Elsevier Science Publishers BV
• 1990-01-16/2003-03-18、US 6,534,431 Suntola et al.、不均一触媒の製造方法および装置
• 1991-07-16/2002-12-31、US 6,500,780 Suntola et al.、所望の金属含有量の不均一触媒の製造方法
• T.Suntola、「CdTe 薄膜太陽電池」、MRS Bulletin、第 XVIII 巻、第 10 号、1993 年
• T. Suntola、「原子層エピタキシー」、結晶成長ハンドブック 3、薄膜とエピタキシー、パート B: 成長のメカニズムとダイナミクス、第 14 章、Elsevier Science Publishers BV、1994 年。
• S. Haukka、E.-L. Lakomaa、T. Suntola、「不均一触媒の吸着制御調製」、産業および環境保護における吸着とその応用、A.​​Dabrowski 編、Elsevier Science Publishers BV、1998 年。
• トゥオモ・スントラ『科学の小史 - あるいは形而上学と経験主義の融合への長い道のり』2018年9月ISBN  978-952-68101-0-2
• RL Puurunen、H. Kattelus、T. Suntola、「MEMS 技術における原子層堆積」、シリコン ベース MEMS 材料および技術ハンドブックの第 26 章、V. Lindroos 他編、pp. 433–446、Elsevier、2010 年。
• Tuomo Suntola、『ダイナミックな宇宙 - 物理的現実の統一された図像に向けて』第 4 版、2018 年 9 月、ISBN 978-1461027034。 

• クリスター・エケボム (1985-06-05)。 「Tio års forskning gav ingenjörspriset」。フォーラム（スウェーデン語）。 No. 1985–10。 p. 22-23。ISSN  0533-070X。{{cite news}}: CS1 メンテナンス: 日付と年 (リンク)

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