昇華サンドイッチ法

昇華サンドイッチ法（昇華サンドイッチプロセス、昇華サンドイッチ技術とも呼ばれる）は、人工結晶を作成するために使用される物理蒸着法の一種です。この方法で成長する最も一般的な結晶は炭化ケイ素ですが、他の結晶もこの方法で作成できます（特に窒化ガリウム）。

この方法では、単結晶または多結晶板の周囲の環境が 1600°C から 2100°C に加熱された蒸気で満たされます。この環境の変化は、ガス相の化学量論に影響を及ぼす可能性があります。ソースから結晶までの距離は、0.02mm から 0.03mm と非常に低く保たれます。結晶の成長に影響を与える可能性のあるパラメータには、ソースから基板までの距離、温度勾配、および過剰な炭素を集めるためのタンタルの存在が含まれます。高い成長率は、ソースからシードまでの距離が小さいことと、基板とソースの間の温度差が中程度 (0.5～10°C) である状態で少量のソース材料に大きな熱流束が加わることによって得られます。ただし、この方法では大きなブールの成長は依然として非常に困難であり、均一なポリタイプ構造を持つエピタキシャル膜の作成に適しています。^[1]最終的には、この方法で最大 500 μm の厚さのサンプルを製造できます。^[2]

参考文献

^ SiC材料とデバイス。学術誌。1998年7月2日。p.56。ISBN 978-0-08-086450-1. 2013年7月12日閲覧。
^ Safa Kasap、Peter Capper (2006年1月1日)。Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials。Springer。p. 245。ISBN 978-0-387-29185-7. 2013年7月12日閲覧。

参照

レリー法
チョクラルスキー法
Mokhov, E. 他：「昇華サンドイッチ法によるシリコンカーバイドバルク結晶の成長」、Elsevier Science SA、1997 年、317-323 ページ

[1] SiC材料とデバイス。学術誌。1998年7月2日。p.56。ISBN 978-0-08-086450-1. 2013年7月12日閲覧。

[KasapCapper2006-2] Safa Kasap、Peter Capper (2006年1月1日)。Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials。Springer。p. 245。ISBN 978-0-387-29185-7. 2013年7月12日閲覧。