MOS複合静電誘導サイリスタ

MOS複合静電誘導サイリスタ（CSMTまたはMCS ）は、SIサイリスタにカスコード接続されたMOS トランジスタの組み合わせです。^[1]

SI サイリスタ (SITh) ユニットには、電圧調整素子を介して MOS トランジスタのソースが接続されたゲートがあります。低伝導損失と堅牢な構造の MCS により、変換型IGBT トランジスタよりも有利です。

ブロッキング状態では、SITh でほぼ完全な電圧降下が発生します。そのため、MOSFET は高電界ストレスにさらされません。高速スイッチングには、30～50 V のブロッキング電圧のみの MOSFET で十分です。IGBT では、コレクタから注入された正孔がp ベース層を通ってエミッタ電極に容易に通過するため、n ベース層のエミッタ側の電荷キャリア濃度は低くなります。そのため、ワイド ベースpnp トランジスタは、その電流ゲイン特性によって動作し、コレクタ - エミッタ飽和電圧の上昇を引き起こします。

MCS では、調整素子の電圧と MOSFET の伝導電圧降下との正の差が、pnp トランジスタのコレクタ領域とエミッタ領域の間の位置に適用されます。正孔濃度は、pnp トランジスタの順方向バイアス コレクタ ベース接合を介した正孔の流れが不可能なため、n ベース層のエミッタ側に蓄積されます。n ベースのキャリア分布は飽和バイポーラ トランジスタの分布と同様であり、高電圧定格でも MCS の低飽和電圧を実現できます。