光ビーム誘起電流

光ビーム誘起電流（OBIC）は、レーザー信号の注入を利用した半導体分析技術です。この技術では、走査レーザービームを用いて半導体試料中に電子・正孔対を生成します。これにより電流が発生し、この電流を分析することで試料の特性、特に欠陥や異常を特定することができます。

従来のOBICでは、超高速レーザービームを試料表面に走査し、「単一光子吸収」と呼ばれる現象によって一部の電子を伝導帯に励起します。その名の通り、単一光子吸収は、たった1つの光子で電子を伝導帯に励起します。これは、その1つの光子が半導体のバンドギャップ（Siの場合は1.12 eV）を克服するのに十分なエネルギーを持ち、電子が伝導帯に飛び込むのに十分なエネルギーを与える場合にのみ起こります。

この技術は、半導体の故障解析において、埋め込み拡散領域、損傷した接合部、ゲート酸化膜の短絡箇所を特定するために使用されます。^{[ 1 ]}

OBIC技術は、ICのバルクシリコンにおける集束イオンビーム（FIB）ミリング操作を終了する必要があるポイント（エンドポイントとも呼ばれる）を検出するために使用できます。これは、レーザーを使用してシリコンに光電流を誘起し、同時に電流計をデバイスの電源とグランドに接続して光電流の大きさを監視することによって実現されます。バルクシリコンが薄くなるにつれて光電流は増加し、ウェルと基板の接合部の空乏層に達するとピークに達します。このようにして、エンドポイントをウェルの深さのすぐ下で達成でき、デバイスは動作し続けます。^{[ 2 ]}

• レーザー関連製品一覧

• Cole, Ed; et  al. (2004)、「ビームベースの欠陥位置特定方法」、マイクロエレクトロニクス故障解析、Materials Park: ASM International、ISBN 0-87170-804-3。
• Antoniou, Nicholas (2004)、「バルクシリコンを介した回路編集プロセス」、マイクロエレクトロニクス故障解析、Materials Park: ASM International、ISBN 0-87170-804-3。

• Manfred Frischholz; Jörg Seidel; Adolf Schoner; Ulf Gustafsson; Mietek Bakowski; Kenneth Nordgren; Kurt Rottner (1998)、「JTE コンセプト評価と故障解析: 4H Sic p+-n ダイオードの OBIC 測定」、1998 年国際パワー半導体デバイス & IC シンポジウム議事録、京都: 391–394。