ニッケルシリサイドは、 ニッケル とシリコン のいくつかの金属間 化合物を含む。ニッケルシリサイドは、ニッケルとシリコンの接合部に形成されるため、マイクロエレクトロニクス において重要である。さらに、ニッケルシリサイドの薄膜は、ニッケル合金に表面抵抗を付与する用途にも利用できる可能性がある。
化合物 ニッケルシリサイドには、Ni 3 Si、Ni 31 Si 12 、Ni 2 Si、Ni 3 Si 2 、NiSi、NiSi 2 が含まれます。[ 5 ] 31 Si 12 、Ni 2 Si、NiSi は融点が一致しており、その他は包晶 変態によって形成されます。 シリサイドは、元素間の融解または固相反応、2 つの元素の接合部での拡散、およびイオンビーム混合などの他の方法によって製造できます。
物件 ニッケルシリサイドは一般的に化学的にも熱的にも安定して います。電気抵抗率は低く、NiSi は 10.5～18 μΩ·cm、Ni 2 Si は 24～30 μΩ·cm、NiSi 2は 34～50 μΩ·cm です。ニッケルリッチなシリサイドは抵抗率が高く、Ni 31 Si 12 では 90～150 μΩ·cm に上昇します。
用途
マイクロエレクトロニクス ニッケルシリサイドはマイクロエレクトロニクスデバイスにおいて重要であり、特定のシリサイドは優れた導体であり、NiSi は元素ニッケルに近い導電率を持つ。半導体として炭化 ケイ素 を用いると、ニッケルは高温で反応してニッケルシリサイドと炭素 を形成する。
参考文献 1 2 3 4 5 6 Haynes, William M. 編 (2011). CRC化学物理ハンドブック 版）. CRC Press . p. 4.77. ISBN 978-1439855119 。 ↑ El Boragy M.、Rajasekharan TP、Schubert K. (1982)。 Z.メタルド。 、73、193–197。土井 ： 10.1515/ijmr-1982-730313 ↑ Wopersnow W.、Schubert K. (1976) Z. Metallkd. 、67、807–810。土井 ： 10.1515/ijmr-1976-671203 ↑ ベック、U。ノイマン、H.-G.ベヘラー、G. (1973)。 「Ni/Si-SchichtenのPhasenbildung」。 クリスタルとテクニック 。 8 (10): 1125–1129 。 Bibcode : 1973CryRT...8.1125B 。 土井 ： 10.1002/crat.19730081005 。 ↑ Dahal, Ashutosh; Gunasekera, Jagath; Harringer, Leland; Singh, Deepak K.; Singh, David J. (2016年7月)、 「金属ニッケルシリサイド：NiSiの実験と理論、およびその他の相の第一原理計算」 、 Journal of Alloys and Compounds 、 672 ： 110–116 、 arXiv ： 1602.05840 、 doi ： 10.1016/j.jallcom.2016.02.133 、 S2CID 55434466 ↑ 板原 浩、シマヌラン、ウィヤンティ F.、高橋 直子、小坂 悟、古川 慎也 (2019)、 「 水素化触媒としての微細な Ni 3 Si 粉末の Na 溶融合成 」 、 無機化学 、 58 (9): 5406–5409 、 doi : 10.1021/acs.inorgchem.9b00521 、 PMID 30983337 、 S2CID 115204460 ↑ P. Ryabchuk、G. Agostini、M.-M. Pohl、H. Lund、A. Agapova、H. Junge、K. Junge、M. Beller、Sci. Adv.、2018、4、eaat0761 https://doi.org/10.1126/sciadv.aat0761
さらに読む Lavoie, C.; d'Heurle, FM; Detavernier, C.; Cabral, C. (2003年11月)、「CMOS技術向けニッケルシリサイドプロセスの実装に向けて」、Microelectronic Engineering 、70 ( 2–4 ): 144–157 、doi : 10.1016/S0167-9317(03)00380-0 