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カールクヴィストギャップまたはカールクヴィスト場は、1953年にスウェーデンのエンジニアであるオーレ・カールクヴィスト（1922-1976）によって発見された電磁気現象であり、 [1]コンピュータの磁気ストレージにおいて重要です。[2]
Karlqvist は、 BESKコンピューターの磁気ドラム メモリに強磁性表面層を設計しているときにこの現象を発見しました。 [1]磁気メモリ ストアを設計する場合、強磁性層を調べて、透磁率、エアギャップ、層の厚さ、その他の影響要因による磁場の変化を決定する必要があります。この問題は非線形であり、解決するのが非常に困難です。Karlqvist のギャップの発見により、非線形問題は、 2 次元の静的フィールドと 1 次元の過渡フィールドの線形境界値によって近似できることがわかりました。この線形計算により、最初の近似値が得られます。
カールクヴィストは1954年にストックホルムの王立工科大学で「磁気ドラムの強磁性層における磁場の計算」という論文を発表した。[3]
参照
- カルーセルメモリ、1958年に初めて販売された2560キロバイトのストレージユニット
参考文献
- ^ ab Jan Karlqvist (1999)、Olle Karlqvist、datorpionär och upptäckare av "Karlqvist field"(gap) [ Olle Karlqvist、コンピューターの先駆者であり、「Karlqvist field」(gap) の発見者] (スウェーデン語) 、 2010 年 12 月取得23(HTML 3 KB)
- ^ Jan Karlqvist (1999)、The Karlqvist field (スウェーデン語) 、2010年12月23日閲覧(HTML 1 KB)
- ^ Olle Karlqvist (1954)、磁気ドラムの強磁性層における磁場の計算(PDF) (スウェーデン語)、AB Henrik Lindstahls Bokhandel i 分布 (2013-07-15 発行)(PDF 741 KB)