逆リソグラフィー

半導体デバイスの製造において、逆リソグラフィー技術 ( ILT ) はフォトマスク設計へのアプローチです。これは基本的に、逆イメージング問題を解決するアプローチです。つまり、フォトマスク(「ソース」)の開口部の形状を計算し、通過する光が、通常はフォトレジストである照射された材料上の目的のパターン (「ターゲット」) の良好な近似を生成するようにします。そのため、通常は解析的なソリューションが存在しないため、特殊な種類の数学的最適化問題として扱われます。 ^[1]光近接効果補正(OPC)として知られる従来のアプローチでは、「ターゲット」の形状が慎重に調整された長方形で拡張され、図に示すように、「ソース」の「マンハッタン形状」が生成されます。ILT アプローチは、「ソース」の曲線形状を生成し、「ターゲット」のより良好な近似を実現します。^[2]

ILTは1980年代に提案されましたが、当時は膨大な計算能力が必要で「ソース」の形状が複雑だったため、検証（設計ルールチェック）や製造に困難を伴い、実用的ではありませんでした。しかし、2000年代後半には計算能力が大幅に向上したため、開発者はILTを再検討し始めました。^[1]