電界効果四極管

四極管電界効果トランジスタ^[1]または電界効果四極管は、 2つの電界効果チャネルを背中合わせに作り、その間に接合部を設けることで構築された固体 半導体デバイスです。これは4端子デバイスであり、各チャネルが他のチャネルのゲートとして機能するため、特定のゲート端子はありません。 ^[2]電圧条件によって、他のチャネルに流れる電流が調整されます。^[3]

最初のチャネルの電圧が、2 番目のチャネルの電圧がの場合、最初のチャネルの電流 、および 2 番目のチャネルの電流 は次のように表されます。 ${\displaystyle V_{1}-V_{2}}$${\displaystyle V_{3}-V_{4}}$${\displaystyle I_{1}}$${\displaystyle I_{2}}$

${\displaystyle I_{1}=G_{1}(V_{1}-V_{2})\left[1-{\frac {2}{3V_{p}^{1/2}}}{\frac {(V_{1}-V_{3})^{(3/2)}-(V_{2}-V_{4})^{(3/2)}}{(V_{1}-V_{ 3})-(V_{2}-V_{4})}}\right]}$

そして

${\displaystyle I_{2}=G_{2}(V_{3}-V_{4})\left[1-{\frac {2}{3V_{p}^{1/2}}}{\frac {(V_{3}-V_{1})^{(3/2)}-(V_{4}-V_{2})^{(3/2)}}{(V_{3}-V_{ 1})-(V_{4}-V_{2})}}\right]}$、

ここで、はチャネルの低電圧コンダクタンスであり、はピンチオフ電圧です（各チャネルで同じであると想定されます）。 ${\displaystyle G_{i}}$${\displaystyle V_{p}}$

電界効果四極管は、非常に線形性の高い電子可変抵抗器として使用できます。抵抗は信号電圧によって変調されません。信号電圧は、バイアス電圧、ピンチオフ電圧、接合ブレークダウン電圧を超えることができます。制限は消費電力に依存します。信号電流はチャネル抵抗に反比例して流れます。信号は空乏層を変調しないため、四極管は高周波で動作できます。チューニング比は非常に大きく、対称ピンチオフ条件では抵抗の上限はメガオームの範囲です。^[2]

• 電界効果トランジスタ
• マルチゲートデバイス、その他のマルチゲートデバイス
• 四極管トランジスタ、4つのアクティブ端子を持つトランジスタ