等方性エッチング

半導体製造において、等方性エッチングは、エッチング剤を用いた化学プロセスによって基板から材料を除去するために一般的に使用される方法です。エッチング剤は、液相、気相、プラズマ相のいずれかですが、^[1]二酸化ケイ素のエッチングには緩衝フッ化水素酸(BHF)などの液体エッチング剤がより一般的に使用されています。異方性エッチングとは異なり、等方性エッチングは単一方向にエッチングするのではなく、基板内で複数の方向にエッチングします。^[2]そのため、エッチング方向の水平成分により、パターン化された領域がアンダーカットされ、デバイス特性が大幅に変化する可能性があります。等方性エッチングは不可避的に発生する場合もあれば、プロセス上の理由で望ましい場合もあります。