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EKV MOSFET モデルは、回路シミュレーションとアナログ回路設計を目的とした金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ ( MOSFET ) の数学的モデルです。 [1]このモデルは、1980 年代の研究を基に、1995 年頃にスイスの EPFLでChristian C. Enz、François Krummenacher、Eric A. Vittoz (したがって、頭文字が EKV) によって開発されました。 [2]二次モデルなどのより単純なモデルとは異なり、EKV モデルは、MOSFET がサブスレッショルド領域で動作している場合でも正確です (例: V bulk =V sourceの場合、V gate-source < V Thresholdのときに MOSFET はサブスレッショルドです)。さらに、サブミクロンCMOS IC設計で見られる特殊な効果の多くをモデル化します。
参照
参考文献
- ^ Enz, Christian C.; Krummenacher, François; Vittoz, Eric A. (1995)、「すべての動作領域で有効で、低電圧および低電流アプリケーション専用の解析的 MOS トランジスタ モデル」、アナログ集積回路および信号処理ジャーナル、低電圧および低電力設計、第 8 巻 (1995 年 7 月発行)、pp. 83–114、doi :10.1007/BF01239381、S2CID 110861430
- ^ Enz, Christian C.; Krummenacher, François; Vittoz, Eric A. (1987)、「CMOS チョッパー アンプ」、IEEE Journal of Solid-State Circuits、vol. 22、no. 3 (1987 年 6 月発行)、pp. 335–342、Bibcode :1987IJSSC..22..335E、doi :10.1109/JSSC.1987.1052730、S2CID 34431994
外部リンク
- クリスチャン・エンツのウェブページ [1]
- François Krummenacher のウェブページ [2] 2008-10-03 にWayback Machineでアーカイブ
- エリック・ヴィトッツについて [3]
- EKVモデルのメインウェブページ[4]