ビームリード技術

ビームリード技術は半導体デバイスの製造方法です。当初は高周波シリコンスイッチングトランジスタと高速集積回路に応用されました。この技術により、当時集積回路で一般的に使用されていた労働集約的なワイヤボンディングプロセスが不要になりました。また、半導体チップをより大きな基板に自動的に組み立てることも可能になり、ハイブリッド集積回路の製造が容易になりました。^[1]

1960年代初頭、MP レプセルター^{[2] [3]は、} Ti - Pt - Au薄膜ベース上に厚い自立型金パターンの配列を電気形成する構造を製造する技術を開発しました。この技術から「ビーム」という用語が生まれました。これらのパターンはシリコン ウェーハの表面に堆積されました。その後、ビームの下の余分な半導体材料が除去され、個々のデバイスが分離され、自立型ビーム リードまたは半導体材料から突き出た内部チップレットが残りました。これらの接点は電気リードとして機能するだけでなく、デバイスの構造的サポートも提供しました。

特許を取得した発明には以下が含まれます:

1. 陰極スパッタリング（プラズマエッチング/RIE）を使用した材料の選択的除去、米国特許番号3,271,286、1966年発行
2. PtSi 半導体接点およびショットキー ダイオード (PtSi ショットキー ダイオード)、米国特許 #3,274,670、1966 年発行
3. ビームリードを含む半導体デバイス（ビームリード、Ti-Pt-Au 金属システム）、米国特許 #3,426,252、1969 年発行
4. 近接した導電層（空気絶縁クロスオーバー、エアブリッジ、RFスイッチ）の製造方法、米国特許番号3,461,524、1969年発行
5. 振動リードデバイス ( MEMS )、米国特許 #3,609,593、1971 年発行

この技術はエアブリッジ技術とも呼ばれ、通信やミサイルシステム用の高周波シリコンスイッチング トランジスタや超高速集積回路に採用されています。数億個生産されたビームリードデバイスは、商用の微小電気機械構造 ( MEMS ) の最初の例となりました。

• ビームリード技術、MPLepselter、ベルシステム技術ジャーナル45.（2）（1966）、pp.233–253