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アルミニウムガリウム窒化物（AlGaN）は、ワイドバンドギャップ半導体材料である。これは、窒化アルミニウムと窒化ガリウムの合金である。
Al x Ga 1-x N のバンドギャップは、AlN のモル分率に応じて3.4 eV (GaN のバンドギャップ)から 6.2 eV (AlN のバンドギャップ) の範囲に調整できます。 [ 1 ]
AlGaNは、スペクトルの青色から紫外領域で動作する発光ダイオードの製造に使用されます。遠紫外領域（約250 nm）の発光波長が実現されており、一部の研究チームは222 nm [ 2 ]や210 nm [ 3 ]といった短い波長での発光を報告しています。
AlGaNは、青色半導体レーザー、紫外線検出器、およびAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにも使用されている。
AlGaNは、ヘテロ接合を形成するために、窒化ガリウムまたは窒化アルミニウムと組み合わせて使用されることが多い。
AlGaN層は一般的に窒化ガリウム、サファイア、または(111)Si基板上に成長され、ほぼ必ず追加のGaN層が付加されます。
AlGaNの毒性については十分に調査されていません。AlGaNの粉塵は皮膚、目、肺に刺激を与えます。アルミニウムガリウム窒化物源（トリメチルガリウムやアンモニアなど）の環境、健康、安全面、および標準的なMOVPE源の産業衛生モニタリング研究については、最近のレビューで報告されています。[ 4 ]
