アルミニウムガリウム窒化物

窒化アルミニウムガリウム( AlGaN ) は半導体材料です。窒化アルミニウムと窒化ガリウムの合金です。

Al _x Ga _1−x Nのバンドギャップは4.3eV（xAl=0）から6.2eV（xAl=1）まで調整できる。^[1]

AlGaNは青色から紫外線領域で動作する発光ダイオードの製造に使用され、波長は250 nm（遠紫外線）まで達成され、222 nmまで達成されたという報告もあります。^{[2]また、青色}半導体レーザーにも使用されています。

AlGaN 層は、通常、窒化ガリウム、サファイア、または (111) Si 上に成長しますが、ほとんどの場合、追加の GaN 層が付加されます。

安全性と毒性の側面

AlGaNの毒性は十分に調査されていません。AlGaNの粉塵は皮膚、目、肺に刺激を与えます。アルミニウムガリウム窒化物源（トリメチルガリウムやアンモニアなど）の環境、健康、安全面、および標準的なMOVPE源の産業衛生モニタリング研究が最近レビューで報告されました。^[3]

^ 窒化アルミニウムガリウムの成長と特性評価...
^ 野口典道、平山秀樹、谷田部徹、鎌田紀彦 (2009)。「薄い AlGaN 量子井戸層を備えた 222 nm シングルピーク深紫外線 LED」。Physica Status Solidi C。6 (S2): S459–S461。Bibcode : 2009PSSCR ...6S.459N。doi :10.1002/pssc.200880923。
^ Shenai-Khatkhate, DV; Goyette, R.; DiCarlo, RL Jr.; Dripps, G. (2004). 「化合物半導体のMOVPE成長に使用されるソースの環境、健康、安全の問題」。Journal of Crystal Growth。272 ( 1–4): 816–821。Bibcode :2004JCrGr.272..816S。doi :10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 。