シュプラティック・グハ

スプラティック・グハはインド系アメリカ人の材料科学者です。

グハは1985年にインド工科大学カラグプル校を卒業し、 1991年に南カリフォルニア大学で材料科学の博士号を取得しました。1995年から2015年までIBMに勤務し、2015年から2019年までナノスケール材料センターの所長を務めました。所長を退任した後も、アルゴンヌ国立研究所の上級顧問およびシカゴ大学の教員を務めています。^{[1] [2]}

グハは2009年にアメリカ物理学会のフェローに選出されたが、その理由は「半導体材料とデバイスにおけるリーダーシップ、特にIBMの電界効果トランジスタ製品で古くから使われている二酸化ケイ素ゲート膜に代わる予定の高誘電率ゲートスタックの科学的・技術的基盤を提供したこと」によるものである。 ^{[3] 2015年、グハは「シリコンマイクロエレクトロニクスの継続的なスケーリングを可能にする電界効果トランジスタ技術への貢献」により}米国工学アカデミーに選出された。^[4]