スティーブン・P・デンバーズ

スティーブン・P・デンバーズ
国籍	アメリカ人
母校	アリゾナ大学 南カリフォルニア大学
知られている	窒化物半導体 MOCVD 発光 ダイオード レーザーダイオード
科学者としてのキャリア
フィールド	材料、電気工学、窒化物
機関	カリフォルニア大学サンタバーバラ校

スティーブン・P・デンバーズは、アメリカの材料科学者、電気技術者、学者です。彼は、カリフォルニア大学サンタバーバラ校の材料および電気・コンピュータ工学の教授であり、固体照明およびエネルギーエレクトロニクスセンターのエグゼクティブディレクターです。^{[1]彼はまた、}全米発明アカデミー（NAI）のフェローでもあり、 ^{[2] 2012年に固体照明およびディスプレイ用の窒化ガリウムベースの材料とデバイスへの貢献により、}全米工学アカデミー（NAE）の会員に選ばれました。^[3]

デンバーズは1984年にアリゾナ大学で材料および冶金工学の学士号を取得しました。彼は冶金工学の優秀な4年生に選ばれ、クラスの卒業生代表にも選ばれました。その後、南カリフォルニア大学に入学し、1986年に材料科学の修士号を、1988年に電気工学の博士号を取得しました。^[4]

デンバーズは1984年に南カリフォルニア大学化合物半導体研究所の研究助手として学術キャリアをスタートしました。その後、1991年に材料学科の助教授に任命され、1994年に准教授に昇進し、1998年にカリフォルニア大学サンタバーバラ校の教授になりました。^[1]

デンバーズは、これまでのキャリアの中で行政職も歴任しています。2002 年から 2007 年まではソリッド ステート照明およびディスプレイ センターのエグゼクティブ ディレクターを務め、2007 年から 2014 年まではソリッド ステート照明およびエネルギー センターのエグゼクティブ ディレクターを務めました。現在は、ソリッド ステート照明およびエネルギー エレクトロニクス センターのエグゼクティブ ディレクターを務めています。

デンバーズ氏は、自身の分野で専門的な経験も有しています。1988年から1991年までヒューレット・パッカード社のオプトエレクトロニクス部門の技術スタッフの一員として勤務し、高輝度可視LEDを開発しました。2010年からはMRS Internet Journal of Nitride Research、Compound Semiconductor Magazineの編集委員を務め、Materials Research Society Conference Proceedingsの編集者も務めています。2013年から2020年までは、Soraa Laser Diode Inc.の会長兼共同創設者でした。 ^[5] CREE Inc.の科学顧問、Seoul Semiconductorのコンサルタントを務め、現在は三菱ケミカルの固体照明およびディスプレイ寄付講座の教授を務めています。^[6]また、Crystalsの諮問委員会とAkoustis Inc.の取締役も務めています。^[7]

DenBaarsは800以上の論文を発表しており、^[8]は84,000回以上引用されており、Google Scholar H指数は143です。彼の研究は主に、ワイドバンドギャップ半導体（GaNベース）のMOCVD成長と、その青色およびUV LED、レーザーダイオード、RFおよび高出力電子デバイスへの応用に焦点を当てています。この研究は、米国大学で初めて青色GaNレーザーダイオードの実証、GaN HEMTからの初のRF電力測定、および最高効率のマイクロLEDにつながりました。

初期の研究では、デンバーズは GaAs 表面上の均一なコヒーレントな InGaAs 島から量子サイズのドットが形成される過程に焦点を当て、ドットのあるサンプルとないサンプルを比較することで、これらの島からの約 1.2 eV での発光に注目しました。 ^[9] 2009 年には、LED 照明の展望を探りました。^[10]また、発光ダイオード (LED) の粗面化が光抽出効率の向上に果たす役割についても論じました。 ^[11]さらに、共著者とともに、InGaN/GaN 多重量子井戸 (MQW) に関する温度依存の時間積分および時間分解発光 (PL) 研究に関するレポートを発表しました。^[12]

デンバーズは2000年にAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの2次元電子ガス（2DEG）に焦点を当てた研究を行い、分極誘起双極子の役割についても説明しました。^[13]彼は貫通転位構造を研究し、それがエピタキシャルGaN膜のX線回折ピーク幅に与える影響を調査しました。^[14]さらに、彼は透過測定から得られたGaNのエネルギーギャップ、吸収係数、励起子結合エネルギー、および再結合寿命に基づいて研究を行いました。^[15]

• 1994年 - NSF若手研究者賞
• 1998 – 国際化合物半導体シンポジウム '98 若手科学者賞
• 2007年 - USC優秀卒業生賞、南カリフォルニア大学
• 2008年 - IEEEフェロー賞
• 2010年 - IEEEフォトニクス協会アロン・クレッセル賞^[16]
• 2012年 -米国工学アカデミー会員^[3]
• 2013年 -全米発明家アカデミー会員^[2]
• 2021 - セントラル コースト イノベーション アワード、パシフィック コースト ビジネス タイムズ (中村修二氏と共同)
• 2021 - 量子デバイス賞、国際化合物半導体シンポジウム '21
• 三菱カリフォルニア大学サンタバーバラ校名誉教授^[1]

• Leonard, D., Krishnamurthy, M., Reaves, C., DenBaars, SP, & Petroff, PM (1993). GaAs表面上のInGaAsの均一なコヒーレント島からの量子サイズドットの直接形成。応用物理学論文集、63(23), 3203–3205。
• Heying, B., Wu, XH, Keller, S., Li, Y., Kapolnek, D., Keller, BP, ... & Speck, JS (1996). エピタキシャル GaN 膜の X 線回折ピーク幅に対する貫通転位構造の役割。応用物理学レター、68(5)、643–645。
• Wu, YF, Keller, BP, Keller, S., Kapolnek, D., Denbaars, SP, & Mishra, UK (1996). AlGaN/GaN MODFET のマイクロ波電力性能の測定。IEEE Electron Device Letters, 17(9), 455–457。
• Ibbetson, JP, Fini, PT, Ness, KD, DenBaars, SP, Speck, JS, & Mishra, UK (2000). AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける分極効果、表面状態、および電子源。応用物理学論文集、77(2), 250–252。
• Fujii, T., Gao, Y., Sharma, R., Hu, EL, DenBaars, SP, & Nakamura, S. (2004). 表面粗面化による GaN ベース発光ダイオードの抽出効率の向上。応用物理学レター、84(6)、855–857。
• Pimputkar, S., Speck, JS, DenBaars, SP, & Nakamura, S. (2009). LED照明の展望 Nature photonics, 3(4), 180–182.
• Wong, MS, Oh, SH, Back, J., Lee, C., Speck, JS, Nakamura, S., & DenBaars, SP (2021). 垂直透明パッケージを用いたIII族窒化物マイクロ発光ダイオードの外部量子効率の向上。応用物理学会誌、60(2), 020905。

• カリフォルニア大学サンタバーバラ校の固体照明およびエネルギーエレクトロニクス センターの Web サイト。