ルザノフ半導体物理研究所

ロシア科学アカデミーシベリア支部ルジャノフ半導体物理研究所
創設者	アナトリー・ルジャノフ
設立	1964
監督	アレクサンダー・ラティシェフ
所有者	ロシア科学アカデミーシベリア支部
住所	Lavrentyev Prospekt 13、ノボシビルスク、630090、ロシア
位置	ノボシビルスク、ロシア
Webサイト	ホームページ

RAS シベリア支部ルジャノフ半導体物理学研究所(ロシア語: Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН ) は、ノボシビルスクのアカデムゴロドクにある研究機関です。ロシア。 1964年に設立されました。

歴史

この研究所は1964年に固体物理学・半導体電子工学研究所と無線物理学・電子工学研究所を統合して設立されました。^{[1] 1970年代には、研究所は}分子線エピタキシー法の開発に取り組み始めました。^[1]

マイクロエレクトロニクス、音響エレクトロニクス、マイクロフォトエレクトロニクス、量子エレクトロニクスの物理的基礎の開発、半導体薄膜構造における物理現象の研究など^[2]

^ ab 電子から光子へ: ISP SB RAS は 55 歳です。ノーボスチ・シビルスコイ・ナウキ。 От электрона к фотону: ИФП СО РАН — 55 лет。 Новости сибирской науки. 2019年5月14日。
^ ロシア科学アカデミーシベリア支部ルジャノフ半導体物理研究所。ロシア科学アカデミーシベリア支部。