ルドルフ・M・トロンプ

ルドルフ・マリア・ルート・トロンプ博士（1954年9月3日、アルクマール生まれ）^[1]は、 IBM研究部門、トーマス・J・ワトソン研究所に所属するオランダ系アメリカ人科学者であり、ライデン大学の物理学教授である。^[2]

彼はペトラス・カニシウス・カレッジ・ザ・リセウム（アルクマール）に通った。

• 1982年ユトレヒト大学（オランダ）にて物理学博士号取得
• 1982年、シリコン表面の構造に関する中エネルギーイオン散乱（MEIS）研究に関する論文を完成。

1983 年に IBM のトーマス・J・ワトソン研究所に入社し、走査トンネル顕微鏡による研究で初めて Si(001) 二量体構造を明らかにしたほか、Si(111) (7 × 7) 表面電子状態の空間分布とそれらの基礎原子構造との関係を明らかにしました。MEIS を使用して、エピタキシャル膜と超格子の形態の制御を大幅に向上させる技術である「界面活性剤媒介エピタキシャル成長」を共同発明しました。

最近では、相転移、化学吸着とエッチング、エピタキシャル成長、ナノテクノロジーの側面など、表面および界面プロセスのダイナミクスに研究の焦点が当てられています。超高真空透過型電子顕微鏡と低エネルギー電子顕微鏡は、高い空間分解能でこれらのプロセスを詳細かつリアルタイムでその場で観察することを可能にします。これらの技術を使用して、研究はエピタキシャル成長の熱力学、エピタキシャル膜の表面形態の動的進化、量子ドットの自己組織化、表面での一次および二次相転移の時空間特性などに新たな光を当てています。彼はまた、エネルギーフィルタリングと収差補正を含む新しい低エネルギー電子顕微鏡装置を開発しました。^[3]

• 1981年:物理エレクトロニクス会議ウェイン・B・ノッティンガム賞^[4]
• 1995年: 材料研究協会賞^[5]
• 2003年：アメリカ物理学会デイヴィソン・ガーマー賞^[1]
• 2004年：アメリカ真空協会 メダル・W・ウェルチ賞^[6]
• 2009年:材料研究協会（MRS）フェロー^[7]
• IBM優秀イノベーション・技術功績賞4回受賞。^[8]
• 2020年:米国工学アカデミー会員

トロンプ博士は、アメリカ物理学会^[9] 、アメリカ真空学会^[10]、材料研究学会およびベーミッシュ物理学会[ ^{11 ]の会員である。 [12]}