ロバート・W・バウアー

ロバート・ウィリアム・バウアー（1936年6月12日 - 2024年1月27日）は、アメリカの応用物理学者。 1973年にカリフォルニア工科大学で博士号を取得した直後から、エンジニア、科学者、カリフォルニア大学デービス校教授、デバイスコンセプト社の社長兼CEOなど、25年以上にわたりさまざまな職業に就きました。また、3次元の高密度構造に重点を置いたIntegrated Vertical Modulesの社長も務めました。しかし、彼の最も注目すべき貢献は、絶縁ゲートを備えた電界効果デバイスであり、自己整合ゲートMOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）、またはSAGFETとしても知られています。バウアーは、カリフォルニア州マリブの ヒューズ研究所で働いていた1969年にこの設計の特許を取得しました。

バウアーはまた、80以上のジャーナルと記事を出版し、28以上の発明で特許を取得し、3冊の本の章を執筆しました。彼は2024年1月27日にハワイのマウイ島で87歳で亡くなりました。^[1]

バウアーは1936年にカリフォルニア州サンタモニカで生まれました。1954年から1958年にかけて空軍に入隊した時期を除き、生涯カリフォルニアに住んでいました。空軍での勤務後、カリフォルニア大学バークレー校に入学し、1962年にローレンス放射線研究所で働きながら物理学の学士号を取得しました。1年後、カリフォルニア工科大学で電気工学の修士号を取得しました。1965年に、カリフォルニア州マリブにあるヒューズ研究所で働きました。同社は航空宇宙および防衛業務を専門としています。その後、カリフォルニア工科大学に戻り、 1973年に応用物理学の博士号を取得しました。バウアーは後にカリフォルニア大学デービス校の名誉教授となり、同校で14年間以上教鞭をとりました。

1960 年代後半のヒューズ研究所で、バウアーはすべての回路に統合できる理想的な要素を見つけようと努力しました。1920 年にリリエンフェルドはこのアイデアの基本設計を思いつきましたが、デバイスを製造またはテストするためのプラットフォームはありませんでした。1950 年代後半に、マカルディンとホーノイはシリコンプレーナ プロセスを考案し、キルビーとノイスはリリエンフェルドの設計の基本プラットフォームとして使用できる集積回路 (IC) を確立しました。1963 年に、スティーブン ホフスタインとフレデリック ハイマンは、これまでのすべての科学者のアイデアをまとめ、シリコン プレーナ プロセス プラットフォーム上のMOSFETの基本的な性質を説明することができましたが、MOSFET に電力を供給する重要な資産が 1 つ欠けていました。1965 年に、バウアーは集積回路の進歩の鍵となる自己整合ゲート イオン注入 MOSFET を思いつきました。^[2]

MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) は、電子信号を増幅または切り替えるデバイスです。しかし、セルフアライン ゲートがなければ、MOSFETには製造プロセス全体の精度を向上させるための適切なソースがありませんでした。そこで、Bower 博士は、ソースとドレインのマスクとして高濃度ドープ ゲートを配置するように設計された小さなセルフアライン ゲートを確立しました。彼の特許 (US 3,472,712) は 1966 年 10 月 27 日に申請され、1969 年 10 月 14 日に発行されました。

Bower の発明は、Kerwin、Klein、および Sarace が、自分たちこそがセルフアライン ゲート トランジスタの実際の発明者であると主張した際に、大きな論争を巻き起こしました。1966 年、Bower と Dill は、ワシントン DC で開催された国際電子デバイス会議で、セルフアライン ゲート トランジスタに関する最初の出版物を発表しました。その IEDM 出版物では、ゲート材料として金属とポリシリコンの両方を使用し、ソースとドレインの形成にイオン注入と拡散の両方を使用したセルフアライン ゲート トランジスタについて説明されていました。これは、この IEDM 会議のプレゼンテーション 16.6 でした。Bower と、Bower の US 特許 3,472,712 を訴訟した弁護士に対して、裁判所は、彼の特許は、イオン注入を使用してソース領域とドレイン領域を確立し、金属ゲートとポリシリコン ゲートの両方に対してゲートをマスクとして使用するという一般原則をカバーしていると判断しました。 Bower は、「Bower はゲートにアルミニウムを使用したのは自分が初めてで、後にポリシリコンをゲートに使用したデバイスを開発したと信じていたが、裁判所でそれを証明することができず、特許は Kerwin、Klein、および Sarace に与えられた (US 3,475,234)」という記述が真実であることを認めていません。実際には、Bower の特許ではなく、Kerwin らの特許によって争われたのは、1966 年 10 月 26 日に提出された Hans G. Dill の特許 US 3,544,3999 で、ソースとドレインの拡散を使用したポリシリコン ゲートのセルフアライン ゲート FET の形成について説明されていました。また、多数の裁判で、セルフアライン ゲート FET の大部分は、ソース ドレイン領域にドーパントを導入するために拡散ではなくイオン注入を使用して製造されたと判断されました。バウアー氏はこれらの訴訟を担当した弁護士と協議し、「米国の特許制度では、最初に特許を取得した人ではなく、発明を最初に開発した人に特許が付与される」という主張は特許法の有効な主張ではないことを確認した。

MOSFET の進歩に大きく貢献したほか、Bower 氏は 80 を超えるジャーナルや記事を発表し、28 を超える発明で特許を取得し、3 冊の書籍の章を執筆しました。最近は Integrate Vertical Modules と共同で、3 次元の高密度固体構造に注力しています。

• RW Bower および MS Ismail。ALIGNED WAFER BONDING。特許 US 5,226,118、1993 年 8 月 17 日発行。
• RW Bower および MS Ismail。アラインメント ウェーハ ボンディングによって形成されたデジタル圧力スイッチ。特許 US 5,294,760、1994 年 3 月 15 日発行。
• RW Bower および MS Ismail。窒素ベースの低温直接結合。特許 US 5,503,704、1996 年 4 月 2 日発行。
• RW Bower。イオンカット材料の転置分割。特許 US 6,346,458、2002 年 2 月 12 日発行。

Bower は多くの賞を受賞しました。最も有名なのは、自己整合ゲートイオン注入 MOSFET の発明により、1997 年に全米発明家の殿堂入りを果たしたことです。1999 年には、エンジニアに与えられる最高の専門的栄誉の 1 つである全米技術アカデミーの会員に選出されました。他には、優秀シニアフェロー賞、アレクサンダー フォン フンボルト研究賞、ロナルド H. ブラウン米国革新者賞、優秀卒業生賞など、数々の賞を受賞しました。これらの賞は、卒業生としての貢献と発明家としての業績に対して授与されました。

• Bower, Miles。「ロバート W. バウアー博士、カリフォルニア大学デービス校、セルフアライン ゲート MOSFET の発明者、1997 年発明者の殿堂入り。」ロバート W. バウアー博士。2007 年 12 月 21 日。カリフォルニア大学デービス校。2008 年 11 月 19 日 (彼の個人 Web サイト)。
• 「MIS 構造の作成方法」、Kerwin、RE、Klein、DL、Sarace、JC、1969 年。

• 3次元ナノエレクトロニクス技術
• セルフアラインゲートMOSFETの発明者
• 4 人のアメリカ人発明家がロナルド H. ブラウン アメリカン イノベーター賞を受賞
• Infoplease.com ロバート・W・バウアー