ランダムドーパント変動

ランダムドーパント変動（RDF）は、注入された不純物濃度の変動から生じるプロセス変動の一種です。MOSFETトランジスタでは、チャネル領域のRDFによってトランジスタの特性、特にしきい値電圧が変化する可能性があります。新しいプロセス技術では、ドーパントの総数が少なくなり、数個の不純物原子の追加または削除によってトランジスタの特性が大幅に変化する可能性があるため、RDFの影響が大きくなります。RDFはプロセス変動の局所的な形態であり、隣接する2つのトランジスタのドーパント濃度が大幅に異なる可能性があることを意味します。^[1]

参考文献

^ Asenov, A. Huang、「0.1 μm 未満の MOSFET におけるランダムドーパントによる閾値電圧の低下と変動: 3D「原子論的」シミュレーション研究」、Electron Devices、IEEE Transactions、45、号: 12

[1] Asenov, A. Huang、「0.1 μm 未満の MOSFET におけるランダムドーパントによる閾値電圧の低下と変動: 3D「原子論的」シミュレーション研究」、Electron Devices、IEEE Transactions、45、号: 12