ポリサイド[ 1 ]は、ポリシリコン上に形成されるシリサイドです。DRAMで広く使用されています。ポリサイドMOSFETトランジスタプロセスでは、シリサイドはポリシリコンのエッチング前に形成されるため、ポリシリコン膜上にのみ形成されます。ポリサイドプロセスは、ポリシリコンのエッチング後にシリサイドが形成されるサリサイドプロセスとは対照的です。したがって、サリサイドプロセスでは、シリサイドは、トランジスタのポリシリコンゲートと露出した単結晶端子領域の両方に自己整合的に形成されます。
参考文献
- ↑ Tsai, MY; Chao, HH; Ephrath, LM; Crowder, BL; Cramer, A.; Bennett, RS; Lucchese, CJ; Wordeman, MR (1981-10-01). "One-Micron Polycide (WSi2 on Poly-Si) MOSFET Technology" . Journal of the Electrochemical Society . 128 (10): 2207– 2214. doi : 10.1149/1.2127219 . ISSN 0013-4651 .