マルチビーム株式会社

マルチビーム株式会社
業界	半導体産業
設立	2010年; 14年前
本部	カリフォルニア州サンタクララ
主要人物	デビッド・K・ラム（会長）
製品	半導体産業向け電子ビームリソグラフィーシステム
Webサイト	http://www.multibeamcorp.com

マルチビームは、集積回路の製造に使用される半導体処理装置の設計、製造、販売を行っているアメリカの企業です。シリコンバレーのサンタクララに本社を置くマルチビームは、ラムリサーチの創設者であり初代 CEO であるデビッド・K・ラム博士が率いています。

歴史

マルチビームは2024年7月にミネソタ州ブルーミントンにあるスカイウォーターテクノロジーに最初のMEBLプラットフォームを出荷した。^[1]

テクノロジー

マルチビームは、電子ビームリソグラフィー用の小型全静電カラムを開発しました。これは、ウェーハ全体にナノスケールの IC パターンをシームレスに書き込むためのマスクレスで高スループットのプラットフォームを提供します。電子ビームカラムのアレイは同時に並行して動作し、ウェーハ処理速度を向上させます。35 件を超える特許を取得している^[2]これらのマルチカラム電子ビームリソグラフィー (MEBL) システムは、相補型電子ビームリソグラフィー (CEBL)、セキュアチップ ID、高度パッケージングインターポーザ、フォトニクス、および精密なナノメートルスケールの特徴が求められるその他のアプリケーションを含む、さまざまな直接書き込みリソグラフィーアプリケーションを可能にします。^[2]

アプリケーション

相補型電子ビームリソグラフィー（CEBL）は、光リソグラフィーと連携して、マスクなしでカット（「ラインアンドカット」レイアウトのライン）^[3]とホール（つまり、コンタクトとビア）をパターン化します。 ^[4]^[5]^[6]^[7]
セキュアチップIDは、チップID、IPまたはMACアドレス、暗号化に使用されるキーなどのチップ固有の情報を含む固有のセキュリティ情報を各ICに埋め込みます。チップIDは、サプライチェーンの追跡と偽造品の検出に使用されます。ハードウェアに埋め込まれた暗号化キーは、ソフトウェアの認証に使用されます。ビットレジスタに書き込まれたチップ固有の情報は不揮発性です。^[8]^[9]
アドバンストパッケージングインターポーザは、高性能、低消費電力、長いバッテリー寿命、コンパクトなサイズが求められる半導体チップパッケージングアプリケーションのチップ製造に使用できます。ナノメートルの解像度で、大きなフィールドにわたって小さなスケールでパターンを変更できます。システムインパッケージ（SiP）、MEMSおよびセンサーパッケージ、ファンアウトパッケージ、2.5D / 3D ICパッケージの大量生産またはバッチ生産に使用されます。^[10]
フォトニクスアプリケーションでは、光の生成、制御、チャネリングのために、広い視野にわたって高精度の曲線やさまざまなパターンを作成できる柔軟性が活用されます。

参考文献

^ 高橋ディーン（2024年6月27日）。「マルチビームがチップ業界初のマルチカラムEビームリソグラフィーを発表」。ベンチャービート。
^ ab 「マルチビームが直接堆積と直接エッチングの特許を取得」。ソリッドステートテクノロジー。2016年11月14日。
^ Smayling, Michael C. (2013 年 9 月 9 日)。「1D デザインスタイルがマスク作成と CEBL に与える影響」。Faure, Thomas B.、Ackmann, Paul W. (編) 。Photomask Technology 2013 。Vol . 8880。SPIE。pp. 124–130。doi :10.1117/12.2030684。S2CID 109501776 。
^ 「ホワイトボードから」。eBeam Initiative。2014年6月。
^ Liu, Enden D.; Tran, Cong; Prescop, Ted; Lam, David K. (2012 年 3 月 21 日)。「高スループット相補型電子ビームリソグラフィー (CEBL) 用の複数の列」。Tong, William M. (編)。Alternative Lithographic Technologies IV。Vol. 8323。SPIE。doi : 10.1117/12.916118。S2CID 121931138 。
^ Lam, David K.; Liu, Enden D.; Smayling, Michael C.; Prescop, Ted (2011 年 4 月 4 日)。「1D レイアウトの光リソグラフィーを補完する電子ビーム」。Herr, Daniel JC (編)。Alternative Lithographic Technologies III。Vol. 7970。SPIE。p. 797011。doi : 10.1117/12.879479。S2CID 55079236 。
^ Lam, David; Liu, Dave; Prescop, Ted (2010 年 9 月 29 日)。「相補リソグラフィーとしての電子ビーム直接書き込み (EBDW)」。Montgomery, M. Warren、Maurer, Wilhelm (編)。Photomask Technology 2010。Vol. 7823。SPIE。pp. 78231C。doi : 10.1117/12.868485。S2CID 109918356 。
^ 「製造中のチップの保護」。半導体エンジニアリング。2016 年 7 月 7 日。
^ 「Tech Talk」。eBeam Initiative。2016年10月。
^ MacWilliams, Kenneth; Lam, David K.; Prescop, Ted; Van Art, Roger (2022年10月25 日)。「高生産性電子ビームリソグラフィーによる次世代宇宙システムの実現」。Ascend 2022。航空宇宙研究センター。doi : 10.2514/6.2022-4298。ISBN 978-1-62410-662-0. S2CID 252925482。

外部リンク

公式サイト

[1] 高橋ディーン（2024年6月27日）。「マルチビームがチップ業界初のマルチカラムEビームリソグラフィーを発表」。ベンチャービート。

[SST-2] 「マルチビームが直接堆積と直接エッチングの特許を取得」。ソリッドステートテクノロジー。2016年11月14日。

[3] Smayling, Michael C. (2013 年 9 月 9 日)。「1D デザインスタイルがマスク作成と CEBL に与える影響」。Faure, Thomas B.、Ackmann, Paul W. (編) 。Photomask Technology 2013 。Vol . 8880。SPIE。pp. 124–130。doi :10.1117/12.2030684。S2CID 109501776 。

[4] 「ホワイトボードから」。eBeam Initiative。2014年6月。

[5] Liu, Enden D.; Tran, Cong; Prescop, Ted; Lam, David K. (2012 年 3 月 21 日)。「高スループット相補型電子ビームリソグラフィー (CEBL) 用の複数の列」。Tong, William M. (編)。Alternative Lithographic Technologies IV。Vol. 8323。SPIE。doi : 10.1117/12.916118。S2CID 121931138 。

[6] Lam, David K.; Liu, Enden D.; Smayling, Michael C.; Prescop, Ted (2011 年 4 月 4 日)。「1D レイアウトの光リソグラフィーを補完する電子ビーム」。Herr, Daniel JC (編)。Alternative Lithographic Technologies III。Vol. 7970。SPIE。p. 797011。doi : 10.1117/12.879479。S2CID 55079236 。

[7] Lam, David; Liu, Dave; Prescop, Ted (2010 年 9 月 29 日)。「相補リソグラフィーとしての電子ビーム直接書き込み (EBDW)」。Montgomery, M. Warren、Maurer, Wilhelm (編)。Photomask Technology 2010。Vol. 7823。SPIE。pp. 78231C。doi : 10.1117/12.868485。S2CID 109918356 。

[8] 「製造中のチップの保護」。半導体エンジニアリング。2016 年 7 月 7 日。

[9] 「Tech Talk」。eBeam Initiative。2016年10月。

[10] ^ MacWilliams, Kenneth; Lam, David K.; Prescop, Ted; Van Art, Roger (2022年10月25 日)。「高生産性電子ビームリソグラフィーによる次世代宇宙システムの実現」。Ascend 2022。航空宇宙研究センター。doi : 10.2514/6.2022-4298。ISBN 978-1-62410-662-0. S2CID 252925482。