変調ドーピング

変調ドーピングは 、自由電荷キャリアをドナーから空間的に分離するように半導体を作製する技術である。これによりドナーからの散乱が排除されるため、変調ドーピングされた半導体は非常に高いキャリア移動度を示す。

変調ドーピングは、1977年にベル研究所でホルスト・シュテルマー とレイ・ディングルの会話から着想され^{[ 1 ]}、その後すぐにアーサー・ゴッサードによって実装された。シュテルマーとダン・ツイは、変調ドーピングされたウェハを使用して分数量子ホール効果を発見した。

変調ドープ半導体結晶は、異なる半導体種の層を連続的に堆積できるように、エピタキシャル成長によって一般的に成長されます。一般的な構造の1つは、GaAs上に堆積されたAlGaAs層を使用し、AlGaAs中にSi n型ドナーが存在するものです。^{[ 2 ]}