金属誘起結晶化

特定の金属種と組み合わせると、非晶質膜は金属誘起結晶化（MIC）と呼ばれるプロセスで結晶化します。この効果は1969年に発見され、非晶質ゲルマニウム（a-Ge）膜がAl、Ag、Cu、またはSnと接触すると驚くほど低い温度で結晶化しました。 ^[1]この効果は、非晶質シリコン（a-Si）膜^[2] 、非晶質炭素^[3]、およびさまざまな金属酸化物膜でも検証されました。^[4]

同様に、MICは単純な温度駆動型アニーリング手法から、レーザー^{[5] [6]}やマイクロ波放射^{[7] [8]}などを利用する手法へと進化しました。

MIC法の非常に一般的な変種は、金属誘起横方向結晶化（MILC）である。^[9]この場合、金属は、目的の非晶質膜の選択された領域（上部または下部）に堆積される。アニールすると、結晶化は金属種と接触している非晶質膜の部分から始まり、MICは横方向に進む。

これまで、MIC現象を調査するために多くの研究が行われてきましたが、その研究は、常にさまざまなサンプル製造方法と特性評価ツールを適用して行われてきました。それらによると、MICプロセスは、金属種の種類と量、サンプル履歴（製造方法、形状、アニーリングの詳細）、および結晶化を決定する方法論に大きく影響されます。さらに、MICプロセスは、（通常、層状サンプル構造を含む研究で議論されるような）単なる種の拡散をはるかに超えており、微視的レベルでの多くの複雑な原子熱力学的プロセスが関係しています。^{[10] [11] [12] [13] [14]}