マーク・S・ランドストロム

マーク・S・ランドストロム
2024年のランドストロム
生まれる	アレクサンドリア、ミネソタ州、 米国
国籍	アメリカ人
知られている	ナノトランジスタのLundstromモデル
科学者としてのキャリア
フィールド	電子機器および材料
機関	パーデュー大学
博士課程の指導教員	RJシュワルツ

マーク・S・ランドストロムは、アメリカの電気工学研究者、教育者、著者です。彼は、半導体デバイス、特にナノスケールトランジスタの理論、モデリング、理解への貢献で知られており、^{[1] [2]}また、ナノテクノロジーの主要なオンラインリソースであるnanoHUBの作成者でもあります。 ^{[3] [4]ランドストロムは、ドン・アンド・キャロル・サイフレス電気・コンピュータ工学の特別教授であり、2020年には}インディアナ州ウェストラファイエットにあるパデュー大学工学部の学部長代理を務めました。^[5]

ランドストロムはミネソタ州アレクサンドリアで生まれ育ち、1969年に高校を卒業しました。^[6]彼は1973年にミネソタ大学で電気工学の学士号を取得しました。 ^[7]学部生として、彼はアルダート・ファン・デル・ジールの研究室で働くことで研究に触れました。 ランドストロムは1974年にミネソタ大学で表面弾性波デバイスの研究により電気工学の修士号を取得しました。 彼はコロラド州のヒューレット・パッカード社の技術スタッフの一員として、集積回路プロセス開発に従事しました。^[8]ランドストロムは1980年にシリコン太陽電池の研究によりパデュー大学で電気工学の博士号を取得しました。 彼の論文指導教官は、インターディジテートバックコンタクト（IBC）太陽電池の発明者であるリチャード・J・シュワルツでした。^[9] 1980年、ランドストロムはパデュー大学に加わりました。

ランドストロムの研究は、電子デバイスにおける電流の流れを理解することに焦点を当てています。彼は、半導体デバイス、特にナノスケールのデバイスにおける電荷キャリア輸送の理論、モデリング、数値シミュレーションに関する研究を行ってきました。^{[10] [11] [12] [13] [14]彼は}『Fundamentals of Carrier Transport』（Addison-Wesley、1990年）の著者であり、 ^[15]その第2版（Cambridge Univ. Press、2000年）は、半導体における電荷キャリア輸送の標準的な参考文献となっています。

ランドストロムの最も重要な貢献は、厳密な数値シミュレーションに裏打ちされたナノスケールトランジスタの概念モデルであり、著書「ナノトランジスタの基礎」（World Scientific、2017年）^[16]や「ナノスケールトランジスタ - デバイスの物理、モデリング、シミュレーション」（Springer、2006年）^[17]、および多数の雑誌記事で詳しく説明されています。^{[18] [19]}彼はまた、他の半導体デバイスの理解、モデリング、設計にも貢献しています。彼の初期の研究は、ヘテロ構造デバイス、つまり太陽電池^{[20] [21] [22]}とバイポーラトランジスタに焦点を当てていました。^{[23] [24] [25]} 1994年に、彼は学生のグレッグ・ラッシュとともに、GaAs太陽電池の効率を高めるために光子リサイクルの使用を提案しました^[26] — この概念は、後に単接合太陽電池で記録的な効率を生み出しました。^[27]彼の最近の研究では、電子輸送へのアプローチを、フォノンによる熱輸送と結合した電熱輸送へと拡張しており、これらは熱電デバイスの設計と分析において重要な効果である。^{[28] [29] [30] [31] [32]}

1995年、ルンドストロムは同僚のニラヴ・カパディアとホセ・AB・フォルテスとともに、PUNCH（パデュー大学ネットワークコンピューティングハブ）[ ^33]を作成しました。これは、ウェブブラウザを通じて科学シミュレーションへのアクセスを提供し、クラウドコンピューティングの初期の事例でした。国立科学財団が資金提供している計算ナノテクノロジーネットワークの創設ディレクターとして、^[34]ルンドストロムは2000年にnanoHUBを作成しました。nanoHUBは、ナノエレクトロニクスの主要なオンラインリソースに成長し、研究者、教育者、学生に高度な電子デバイスシミュレーションやオープンコンテンツの教育リソースへのオンラインアクセスを提供しています。^{[35] [36]}年間100万人を超えるnanoHUB訪問者のほとんどが、その教育リソースにアクセスしています。^[37]ルンドストロムはnanoHUBコンテンツの主要な貢献者です。50万人を超える人々がnanoHUB.orgで彼のセミナー、チュートリアル、コースを視聴しています。^[38]

2012年、ルンドストロムはnanoHUB-Uを立ち上げ、まだ広く教えられていないトピックについての無料のオンライン短期コースを提供しました。nanoHUB-Uの目標は、学生や現役のエンジニアが、長い前提条件を必要とせずに、21世紀のますます多様化するエレクトロニクスに必要な幅広い知識を身に付けられるよう支援することです。^[39] nanoHUB-Uを補完するために、ルンドストロムはナノサイエンスからの教訓^[40]講義ノートシリーズ（World Scientific）を設立しました。カリキュラムに新しいコンテンツを取り入れることに加えて、ナノスケールからシステムスケールまでの作業がシームレスで直感的になるように、従来のトピックの理解方法を再考することが目標でした。

2019年12月12日、ランドストロムはパデュー大学工学部の学部長代行に任命され、2020年12月までその職を務めた。 ^[41]現在、彼はパデュー大学の戦略イニシアチブ担当執行副学長のマイクロエレクトロニクス特別顧問を務めている。^[42]

ランドストロムは数々の賞を受賞している。2009年に「研究、革新的教育、サイバーインフラストラクチャのユニークな応用を通じてマイクロエレクトロニクスとナノエレクトロニクスにおけるリーダーシップを発揮した」として全米技術アカデミーに選出された。 ^{[43] 1994年に}電気電子学会（IEEE）フェローに選出され、2017年に終身フェローに昇格した。2000年には「小型半導体デバイスにおけるキャリア輸送の物理学への洞察と、ナノスケールトランジスタのシンプルで概念的なモデルの開発」によりアメリカ物理学会（APS）フェローに選出された。 ^{[44] 2006年には「ナノスケール金属酸化物電界効果トランジスタのシミュレーション分野における卓越した貢献と、インターネットを通じて世界中のユーザーにこれらのシミュレーションを提供した」}としてアメリカ科学振興協会（AAAS）フェローに選出された。^[45] 2014年、ルンドストロムはトムソン・ロイター社の「世界で最も影響力のある科学者」リストに選ばれた。^[46]

ランドストロムは、IEEE技術分野から2つの賞を受賞しています。2002年IEEEクレド・ブルネッティ賞「ナノスケール電子デバイスの理解と革新的なシミュレーションへの多大な貢献」^[47]と2018年IEEEレオン・K・キルヒマイヤー大学院教育賞「ナノテクノロジーの大学院教育のためのグローバルオンラインコミュニティの作成、および大学院生の教育、刺激、指導」^[48]です。ランドストロムの半導体業界への貢献は、セミコンダクター・リサーチ・コーポレーションの研究優秀賞（2002年）「ナノスケールMOSFETのデバイス物理学とシミュレーションの分野への創造的で一貫した貢献」^[49]と半導体産業協会の大学研究者賞（2005年）によって認められました。^[50]

ランドストロムは教育への貢献に対しても賞を受賞している。2006年にはIEEE電子デバイス学会の教育賞の初代受賞者となった。^[51] 2010年には半導体研究協会からアリストテレス賞を受賞した。この賞は最も広い意味で優れた教育を表彰するものである。^[52] 2009年にはIEEEアルダート・ファン・デル・ジール賞^[53]を、1993年にはアメリカ工学教育協会からフレデリック・エモンズ・ターマン賞を受賞した。

ランドストロムの貢献はパーデュー大学からも認められている。2012年、彼はパーデュー大学のモリル賞を受賞した。これは、ランドグラント大学の3つの側面、つまり教育、研究、関与すべてへの貢献が認められ、大学が教員に授与する最高の栄誉である。^[54]ランドストロムはまた、1996年に工学部からAAポッター最優秀教員賞^[55]、1995年に電気工学部からDDユーイング教員賞を受賞した。^[56]

• キャリア輸送の基礎、固体デバイスに関するモジュラー シリーズ第 10 巻、Addison-Wesley Publishing Co. Reading、MA、1990 年。(第 2 版は Cambridge University Press より 2000 年 10 月に出版) ISBN 978-0-521-63724-4 

• ナノスケールトランジスタ：物理、モデリング、シミュレーション（Jing Guo との共著）、Springer、ニューヨーク、2006 年。ISBN 978-0-387-28002-8 

• 近平衡輸送：基礎と応用（チャンウク・ジョンとの共著）、ワールドサイエンティフィック、シンガポール、2013年。ISBN 978-981-4327-78-7 

• ナノトランジスタの基礎 World Scientific、シンガポール、2017年。ISBN 978-981-4571-72-2 

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